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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-09 13:45 ［招待講演］Precise Ion Implantation for Advanced MOS LSIs ○Toshiharu Suzuki（SEN）  ED2008-44 SDM2008-63 |
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| 抄録 | （和） | Issues in the ion implantation technology employed in advanced MOSLSIs are addressed, where the placement of implanted impurities will directly influence the device performance and yield. The importance of precise control of the incident angle of ion beam is discussed; the poor precision results in the deviation of Vth and Idsat and asymmetry of them. Next, the effect of energy contamination caused by the deceleration of ions in front of a substrate (in order to obtain high beam current at low energy) on device characteristics is presented. Provisions in ion implanters for these issues are referred briefly. Defect generation during implantation and the impacts of the defects on the advanced device characteristics are also addressed. It is demonstrated that the amount of point defects is influenced by the implantation conditions and method, and the amount influences the redistribution of implanted impurities and activation during annealing. |
| （英） | Issues in the ion implantation technology employed in advanced MOSLSIs are addressed, where the placement of implanted impurities will directly influence the device performance and yield. The importance of precise control of the incident angle of ion beam is discussed; the poor precision results in the deviation of Vth and Idsat and asymmetry of them. Next, the effect of energy contamination caused by the deceleration of ions in front of a substrate (in order to obtain high beam current at low energy) on device characteristics is presented. Provisions in ion implanters for these issues are referred briefly. Defect generation during implantation and the impacts of the defects on the advanced device characteristics are also addressed. It is demonstrated that the amount of point defects is influenced by the implantation conditions and method, and the amount influences the redistribution of implanted impurities and activation during annealing. | |
| キーワード | （和） | Implantation / Incident beam angle / Energy contamination / Point defect generation / Device characteristics / Advanced MOSLSIs / / |
| （英） | Implantation / Incident beam angle / Energy contamination / Point defect generation / Device characteristics / Advanced MOSLSIs / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-63, pp. 25-30, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-63 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-44 SDM2008-63 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Precise Ion Implantation for Advanced MOS LSIs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Implantation / Implantation |
| キーワード(2)（和/英） | Incident beam angle / Incident beam angle |
| キーワード(3)（和/英） | Energy contamination / Energy contamination |
| キーワード(4)（和/英） | Point defect generation / Point defect generation |
| キーワード(5)（和/英） | Device characteristics / Device characteristics |
| キーワード(6)（和/英） | Advanced MOSLSIs / Advanced MOSLSIs |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Toshiharu Suzuki / Toshiharu Suzuki / |
| 第1著者 所属（和/英） | SEN Corporation an SHI and Axcelis Company (略称： SEN) SEN Corporation an SHI and Axcelis Company (略称： SEN) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-09 13:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-44, SDM2008-63 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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