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| 講演名 | 2008-07-10 10:40 Study of Self-Heating Phenomena in Si Nano Wire MOS Transistor ○Tetsuo Endoh・Kousuke Tanaka・Yuto Norifusa（Tohoku Univ.）  ED2008-59 SDM2008-78 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-59 SDM2008-78 |
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| 抄録 | （和） | In this study, I have numerically investigated the temperature distribution of n-type Si Nano Wire MOS transistor (NW-MOS Tr.) induced by the self-heating effect by using a 3-D device simulator. The dependencies of temperature distribution within the NW-MOS Tr. on both its gate length and width of the Si nano wire were analyzed. First, it is shown that the peak temperature in NW-MOS Tr. increases by 100K with scaling the gate length from 54nm to 14nm in the case of a 50nm width Si nano wire. Next, it is found that the increase of its peak temperature due to scaling the gate length can be suppressed by scaling the size of the Si nano wire, for the first time. The peak temperature suppresses by 160K with scaling the Si nano wire width from 50nm to 10nm in the case of a gate length of 14nm. This study shows very useful results for future NW-MOS Tr. design for suppressing the self-heating effect. |
| （英） | In this study, I have numerically investigated the temperature distribution of n-type Si Nano Wire MOS transistor (NW-MOS Tr.) induced by the self-heating effect by using a 3-D device simulator. The dependencies of temperature distribution within the NW-MOS Tr. on both its gate length and width of the Si nano wire were analyzed. First, it is shown that the peak temperature in NW-MOS Tr. increases by 100K with scaling the gate length from 54nm to 14nm in the case of a 50nm width Si nano wire. Next, it is found that the increase of its peak temperature due to scaling the gate length can be suppressed by scaling the size of the Si nano wire, for the first time. The peak temperature suppresses by 160K with scaling the Si nano wire width from 50nm to 10nm in the case of a gate length of 14nm. This study shows very useful results for future NW-MOS Tr. design for suppressing the self-heating effect. |
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| キーワード | （和） | Nano wire MOS transistor / self-heating effect / temperature / nano / / / / |
| （英） | Nano wire MOS transistor / self-heating effect / temperature / nano / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-78, pp. 101-105, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-78 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-59 SDM2008-78 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-59 SDM2008-78 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of Self-Heating Phenomena in Si Nano Wire MOS Transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Nano wire MOS transistor / Nano wire MOS transistor |
| キーワード(2)（和/英） | self-heating effect / self-heating effect |
| キーワード(3)（和/英） | temperature / temperature |
| キーワード(4)（和/英） | nano / nano |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 幸介 / Kousuke Tanaka / タナカ コウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 則房 勇人 / Yuto Norifusa / ノリフサ ユウト |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-10 10:40:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-59, SDM2008-78 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.101-105 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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