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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-11 15:05 Characterization of GaN Surfaces After High-Temperature Annealing and Carbon Diffusion ○Takeshi Kimura・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.）  ED2008-106 SDM2008-125 |
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| 抄録 | （和） | A SiNx/GaN structure was prepared by ECR-CVD, and annealed at 1000 oC for 2 hours in N2 ambient. An XPS result showed the outdiffusion of Ga atom to the SiNx layer during the high-temperature annealing. This could induce deep levels associated with Ga vacancy near the GaN surface, leading to the decrease in the forward current of Schottky diode, in particular at the bias larger than +0.5V. A SiNx/CNx/GaN structure was also prepared by ECR-CVD, and annealed in the same condition to diffuse carbon into GaN. An XPS result showed the existence of high-density carbon atoms in the GaN surface. I-V characteristics of Schottky diode showed the drastic increase in current in both forward and reverse regions after the carbon diffusion. |
| （英） | A SiNx/GaN structure was prepared by ECR-CVD, and annealed at 1000 oC for 2 hours in N2 ambient. An XPS result showed the outdiffusion of Ga atom to the SiNx layer during the high-temperature annealing. This could induce deep levels associated with Ga vacancy near the GaN surface, leading to the decrease in the forward current of Schottky diode, in particular at the bias larger than +0.5V. A SiNx/CNx/GaN structure was also prepared by ECR-CVD, and annealed in the same condition to diffuse carbon into GaN. An XPS result showed the existence of high-density carbon atoms in the GaN surface. I-V characteristics of Schottky diode showed the drastic increase in current in both forward and reverse regions after the carbon diffusion. | |
| キーワード | （和） | GaN / CNx / SiNx / ECR-CVD / high-temperature annealing / Ga outdiffusion / carbon diffusion / |
| （英） | GaN / CNx / SiNx / ECR-CVD / high-temperature annealing / Ga outdiffusion / carbon diffusion / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 121, ED2008-106, pp. 347-350, 2008年7月. | |
| 資料番号 | ED2008-106 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-106 SDM2008-125 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of GaN Surfaces After High-Temperature Annealing and Carbon Diffusion |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | CNx / CNx |
| キーワード(3)（和/英） | SiNx / SiNx |
| キーワード(4)（和/英） | ECR-CVD / ECR-CVD |
| キーワード(5)（和/英） | high-temperature annealing / high-temperature annealing |
| キーワード(6)（和/英） | Ga outdiffusion / Ga outdiffusion |
| キーワード(7)（和/英） | carbon diffusion / carbon diffusion |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 健 / Takeshi Kimura / キムラ タケシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-11 15:05:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-106, SDM2008-125 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.347-350 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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