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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-11 15:35 電気化学堆積を用いた4H-SiCにおける低ショットキー障壁領域の可視化手法 ○加藤正史・小野英則・小川和也・市村正也（名工大）  ED2008-108 SDM2008-127 |
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| 抄録 | （和） | 4H-SiC Schottky diodes are promising devices for the application of high-power and high-frequency rectifiers．However it has been reported that the forward bias property of 4H-SiC Schottky diodes is not uniform among the fabricated diodes because of inhomogeneity of the Schottky barrier height. In this study, we observed regions with a low Schottky barrier height on 4H-SiC surface by the electrochemical deposition of ZnO. Then we fabricated Ni Schottky diodes after ZnO removal to clarify regions with the low Schottky barrier height, and we compared the Schottky barrier height between the contacts on regions with and without ZnO deposition. Schottky barrier heights of the contacts covering a ZnO deposited area were lower than the contacts without a ZnO deposited area. The molten salt etching revealed that most of the ZnO films were deposited on the position with etch pits, but a part of films were deposited on positions without an etch pit. The regions with low Schottky barrier height originate from not only etch pit defect but also other kinds of defects. |
| （英） | 4H-SiC Schottky diodes are promising devices for the application of high-power and high-frequency rectifiers．However it has been reported that the forward bias property of 4H-SiC Schottky diodes is not uniform among the fabricated diodes because of inhomogeneity of the Schottky barrier height. In this study, we observed regions with a low Schottky barrier height on 4H-SiC surface by the electrochemical deposition of ZnO. Then we fabricated Ni Schottky diodes after ZnO removal to clarify regions with the low Schottky barrier height, and we compared the Schottky barrier height between the contacts on regions with and without ZnO deposition. Schottky barrier heights of the contacts covering a ZnO deposited area were lower than the contacts without a ZnO deposited area. The molten salt etching revealed that most of the ZnO films were deposited on the position with etch pits, but a part of films were deposited on positions without an etch pit. The regions with low Schottky barrier height originate from not only etch pit defect but also other kinds of defects. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / Schottky barrier height / defect / electrochemical deposition / ZnO / / / |
| （英） | 4H-SiC / Schottky barrier height / defect / electrochemical deposition / ZnO / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-127, pp. 357-361, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-127 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-108 SDM2008-127 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 電気化学堆積を用いた4H-SiCにおける低ショットキー障壁領域の可視化手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of Regions with Low Schottky Barrier Height in 4H-SiC by the Electrochemical Deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | Schottky barrier height / Schottky barrier height |
| キーワード(3)（和/英） | defect / defect |
| キーワード(4)（和/英） | electrochemical deposition / electrochemical deposition |
| キーワード(5)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野 英則 / Hidenori Ono / オノ ヒデノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 和也 / Kazuya Ogawa / オガワ カズヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-11 15:35:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-108, SDM2008-127 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.357-361 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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