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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-11 10:15 ［招待講演］Emission of Terahertz Radiation from InGaP/InGaAs/GaAs Grating-Bicoupled Plasmon-Resonant Nano-Transistors ○Taiichi Otsuji（Tohoku Univ.）  ED2008-78 SDM2008-97 |
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| 抄録 | （和） | This paper reviews recent advances in emission of terahertz radiation from our original dual-grating gate high-electron mobility transistor (HEMT)-based nano-transistors originated from two-dimensional plasmons. The dual grating gates can alternately modulate the 2D electron densities to periodically distribute the plasmonic cavities along the channel, acting as an antenna. The device can emit broadband terahertz radiation even at room temperature from self-oscillating 2D plasmons under the DC-biased conditions. The first sample was fabricated with standard GaAs-based heterostructure material systems, succeeding in room-temperature terahertz emission. The second sample was fabricated in a double-decked HEMT structure in which the grating-gate metal layer was replaced with the semiconducting upper-deck 2D electron layer, resulting in enhancement of emission by one order of magnitude. |
| （英） | This paper reviews recent advances in emission of terahertz radiation from our original dual-grating gate high-electron mobility transistor (HEMT)-based nano-transistors originated from two-dimensional plasmons. The dual grating gates can alternately modulate the 2D electron densities to periodically distribute the plasmonic cavities along the channel, acting as an antenna. The device can emit broadband terahertz radiation even at room temperature from self-oscillating 2D plasmons under the DC-biased conditions. The first sample was fabricated with standard GaAs-based heterostructure material systems, succeeding in room-temperature terahertz emission. The second sample was fabricated in a double-decked HEMT structure in which the grating-gate metal layer was replaced with the semiconducting upper-deck 2D electron layer, resulting in enhancement of emission by one order of magnitude. | |
| キーワード | （和） | terahertz / plasmon / resonance / emitter / HEMT / / / |
| （英） | Terahertz / Plasmon / Resonance / Emitter / HEMT / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 121, ED2008-78, pp. 205-210, 2008年7月. | |
| 資料番号 | ED2008-78 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-78 SDM2008-97 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Emission of Terahertz Radiation from InGaP/InGaAs/GaAs Grating-Bicoupled Plasmon-Resonant Nano-Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | terahertz / Terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | plasmon / Plasmon |
| キーワード(3)（和/英） | resonance / Resonance |
| キーワード(4)（和/英） | emitter / Emitter |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾辻 泰一 / Taiichi Otsuji / オツジ タイイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-11 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-78, SDM2008-97 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.205-210 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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