| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2008-07-11 10:50
AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
○柴田大輔・松尾尚慶（松下電器）・永井秀一・Ming Li（Panasonic Boston Lab）・鶴見直大・石田秀俊・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器）  ED2008-73 SDM2008-92 |
| 抄録 |
（和） |
(まだ登録されていません) |
| （英） |
We report ultra high blocking voltage AlGaN/GaN heterojunction transistors (HFETs) using thick poly-crystalline AlN (poly-AlN) passivation and via-holes through the sapphire substrate. Extremely high blocking voltage (BVds) of 10400V is achieved while maintaining relatively low specific on-state resistance (Ron•A) of 186m•cm2.Via-holes through chemically stable sapphire formed by novel laser drilling technique enable very efficient layout of the lateral HFET array. The obtained blocking voltage of 10400V is the highest value ever reported for GaN-based transistors. This implies that GaN is advantageous in extremely high voltage application which so far is believed to be very difficult by GaN-based transistors. |
| キーワード |
（和） |
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| （英） |
GaN / high breakdown voltage / sapphire substrate / via-hole / field plate / high power switching device / low specific on-state resistance / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 121, ED2008-73, pp. 177-181, 2008年7月. |
| 資料番号 |
ED2008-73 |
| 発行日 |
2008-07-02 (ED, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2008-73 SDM2008-92 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM ED |
| 開催期間 |
2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） |
かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） |
Kaderu２・７ |
| テーマ（和） |
第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） |
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 |
英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） |
AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
High Breakdown Voltage of 10400V in AlGaN/GaN HFET with AlN Passivation |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
/ GaN |
| キーワード(2)（和/英） |
/ high breakdown voltage |
| キーワード(3)（和/英） |
/ sapphire substrate |
| キーワード(4)（和/英） |
/ via-hole |
| キーワード(5)（和/英） |
/ field plate |
| キーワード(6)（和/英） |
/ high power switching device |
| キーワード(7)（和/英） |
/ low specific on-state resistance |
| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
柴田 大輔 / Daisuke Shibata / シバタ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Matsushita Electric Industrial) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松尾 尚慶 / Hisayoshi Matsuo / マツオ ヒサヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Matsushita Electric Industrial) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
永井 秀一 / Shuichi Nagai / ナガイ シュウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） |
パナソニックボストン研究所 (略称： Panasonic Boston Lab)
Panasonic Boston Laboratory (略称： Panasonic Boston Lab) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Ming Li / Ming Li / |
| 第4著者 所属（和/英） |
パナソニックボストン研究所 (略称： Panasonic Boston Lab)
Panasonic Boston Laboratory (略称： Panasonic Boston Lab) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
鶴見 直大 / Naohiro Tsurumi / ツルミ ナオヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Matsushita Electric Industrial) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
石田 秀俊 / Hidetoshi Ishida / イシダ ヒデトシ |
| 第6著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Matsushita Electric Industrial) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
柳原 学 / Manabu Yanagihara / ヤナギハラ マナブ |
| 第7著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Matsushita Electric Industrial) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
上本 康裕 / Yasuhiro Uemoto / ウエモト ヤスヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Matsushita Electric Industrial) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第9著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Matsushita Electric Industrial) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第10著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Matsushita Electric Industrial) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
上田 大助 / Daisuke Ueda / ウエダ ダイスケ |
| 第11著者 所属（和/英） |
松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Matsushita Electric Industrial) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2008-07-11 10:50:00 |
| 発表時間 |
15分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2008-73, SDM2008-92 |
| 巻番号（vol） |
vol.108 |
| 号番号（no） |
no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.177-181 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2008-07-02 (ED, SDM) |