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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-11 11:05 Impact of 180nm Current Controlled MCML for Realizing Stable Circuit Operations under Threshold Voltage Fluctuations ○Masashi Kamiyanagi・Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）  ED2008-83 SDM2008-102 |
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| 抄録 | （和） | We propose Current Controlled MOS Current Mode Logic (CC-MCML) and have succeeded in fabricating CC-MCML with 180nm CMOS technology for the first time. The performance stability of the CC-MCML inverter on the fluctuations of threshold voltage of NMOS and PMOS is evaluated from the viewpoint of diminishing the bias offset voltage ΔVB. The ΔVB, that is defined as (base voltage of output waveform) - (base voltage of input waveform), is a key design parameter because CC-MCML is one type of differential circuit. It is shown that when the threshold voltage of NMOS fluctuates from -70m V to 50mV, and threshold voltage of PMOS fluctuates from -60mV to 60mV, the CC-MCML technique is able to suppress ΔVB within only 45 mV where as the conventional MCML technique caused a maximum ΔVB of 395 mV. In this paper, it is verified for the first time that the proposed CC-MCML is more tolerant against the fluctuations of threshold voltages than the conventional MCML. |
| （英） | We propose Current Controlled MOS Current Mode Logic (CC-MCML) and have succeeded in fabricating CC-MCML with 180nm CMOS technology for the first time. The performance stability of the CC-MCML inverter on the fluctuations of threshold voltage of NMOS and PMOS is evaluated from the viewpoint of diminishing the bias offset voltage ΔVB. The ΔVB, that is defined as (base voltage of output waveform) - (base voltage of input waveform), is a key design parameter because CC-MCML is one type of differential circuit. It is shown that when the threshold voltage of NMOS fluctuates from -70m V to 50mV, and threshold voltage of PMOS fluctuates from -60mV to 60mV, the CC-MCML technique is able to suppress ΔVB within only 45 mV where as the conventional MCML technique caused a maximum ΔVB of 395 mV. In this paper, it is verified for the first time that the proposed CC-MCML is more tolerant against the fluctuations of threshold voltages than the conventional MCML. |
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| キーワード | （和） | Current Controlled-MCML / MCML / Vth Fluctuation / Stability / NMOS / PMOS / / |
| （英） | Current Controlled-MCML / MCML / Vth Fluctuation / Stability / NMOS / PMOS / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-102, pp. 233-238, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-102 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-83 SDM2008-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of 180nm Current Controlled MCML for Realizing Stable Circuit Operations under Threshold Voltage Fluctuations |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Current Controlled-MCML / Current Controlled-MCML |
| キーワード(2)（和/英） | MCML / MCML |
| キーワード(3)（和/英） | Vth Fluctuation / Vth Fluctuation |
| キーワード(4)（和/英） | Stability / Stability |
| キーワード(5)（和/英） | NMOS / NMOS |
| キーワード(6)（和/英） | PMOS / PMOS |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上柳 雅史 / Masashi Kamiyanagi / カミヤナギ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 則房 勇人 / Yuto Norifusa / ノリフサ ユウト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-11 11:05:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-83, SDM2008-102 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.233-238 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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