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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-24 13:00 有機金属分解(MOD)法によるBi-2212/MgO薄膜の作製 渡邉省司・濱中公志・立木 隆・○内田貴司（防衛大）  SCE2008-15 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、テラヘルツ帯で動作する発振器・検出器デバイスへの応用を目指し、MgO基板上へのBi2Sr2CaCu2O8+x（Bi-2212）薄膜の作製を行っている。本研究では、低コストで大面積での成膜が可能な有機金属分解(MOD)法によりBi-2212/MgO薄膜を作製し、その特性の評価を行った。Bi-2212薄膜は、プリカーサ作製と本焼成プロセスとからなる２段階熱処理により作製した。MgO基板上にc軸配向したBi-2212薄膜が得られ、ロッキングカーブ半値幅は約0.19°であった。a-b面内では、成長初期段階においてBi-2212薄膜はMgO基板に対し45°の配向角を示したが、成長が進むにつれて徐々に配向角は±12°にシフトした。また、電流―電圧特性において、約1.7×10^4 A/cm^2 (60 K)の臨界電流密度が得られた。 |
| （英） | We have been fabricating a Bi2Sr2CaCu2O8+x (Bi-2212) thin film on an MgO substrate in order to apply the film to high frequency devices such as a terahertz oscillator and detector. In this study, Bi-2212/MgO thin films were fabricated by the metal-organic decomposition (MOD) method, which has the advantages such as its low running cost and ability to fabricate large-area films, and evaluated these films. The films were fabricated by a 2-step heat treatment consisting of precursor film fabrication and firing processes. The c-axis oriented Bi-2212 films were obtained and the FWHM value observed in a rocking curve was about 0.19 deg. In a measurement of in-plane-orientation, it was found that a rotation angle of 45 deg was dominant at the initial stage of the crystal growth and that the angle shifted to ±12 deg with enhancing the growth. From a current-voltage characteristic, Jc of 1.7×10^4 A/cm^2 was obtained at 60 K. | |
| キーワード | （和） | 有機金属分解（ＭＯＤ）法 / Bi-2212薄膜 / MgO基板 / X線回折（ＸＲＤ） / / / / |
| （英） | Metal-organic decomposition (MOD) method / Bi-2212 thin films / MgO substrate / X-ray diffraction(XRD) / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 152, SCE2008-15, pp. 1-6, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SCE2008-15 | |
| 発行日 | 2008-07-17 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2008-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2008-07-24 - 2008-07-24 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | ジョセフソン接合・材料、一般 |
| テーマ（英） | Josephson junctions and materials, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2008-07-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 有機金属分解(MOD)法によるBi-2212/MgO薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Bi-2212/MgO thin films by the metal-organic decomposition (MOD) method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属分解（ＭＯＤ）法 / Metal-organic decomposition (MOD) method |
| キーワード(2)（和/英） | Bi-2212薄膜 / Bi-2212 thin films |
| キーワード(3)（和/英） | MgO基板 / MgO substrate |
| キーワード(4)（和/英） | X線回折（ＸＲＤ） / X-ray diffraction(XRD) |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 省司 / Shoji Watanabe / ワタナ ベショウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 防衛大学校 (略称： 防衛大) National Defense Academy (略称： National Defense Academy) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱中 公志 / Koji Hamanaka / ハマナ カコウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 防衛大学校 (略称： 防衛大) National Defense Academy (略称： National Defense Academy) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 立木 隆 / Takashi Tachiki / タチキ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 防衛大学校 (略称： 防衛大) National Defense Academy (略称： National Defense Academy) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 貴司 / Takashi Uchida / ウチダ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 防衛大学校 (略称： 防衛大) National Defense Academy (略称： National Defense Academy) |
| 講演者 | 第4著者 |
| 発表日時 | 2008-07-24 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2008-15 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.152 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-17 (SCE) |
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