講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-07-25 09:25
帯域可変マルチバンドリジェクション差動増幅器 ○白田真樹・坂本和良・篠原利夫・伊藤康之(湘南工科大) MW2008-73 OPE2008-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2008-73 OPE2008-56 |
抄録 |
(和) |
複数の阻止帯域を有し,かつそれぞれの阻止帯域を独立して変化できる帯域可変マルチバンドリジェクション差動増幅器について述べる.差動トランジスタペアのエミッタ間にバラクタダイオードを装荷したLC共振回路をスタック状に接続し,バラクタダイオードに供給する電圧を個別に制御することにより,マルチバンドリジェクション特性を実現した.0.35μm SiGe HBTを用いて0.5~0.8 GHz帯および0.6~1.1 GHz帯のデュアルバンドリジェクション差動増幅器を設計,試作,評価した結果,0.5~0.8 GHz帯で平均13.3 dB,0.6~1.1 GHz帯で平均14.3 dBの帯域阻止特性が得られた.入力反射損失は0.2~1.5 GHzで17.5 dB以上,出力反射損失は11 dB以上であった.またP1dBは+3 dBm,IIP3は0 dBm,バイアス条件はVcc=6 V, Ic=8 mAであった. |
(英) |
An L-band SiGe HBT differential amplifier with frequency-tunable and multiple stopbands is presented. To achieve frequency-tunable and multiple bandstop performance, multiple varactor-tuned LC-tank circuits are cascaded in a stacked form between emitters of the differential transistor-pair. The stacked multiple LC-tanks have an outstanding feature in that bandstop frequencies can be varied independently. The implemented 0.35 m SiGe HBT amplifier with dual stopbands demonstrates an averaged bandstop performance of 13.3 dB over 0.5 to 0.8 GHz and 14.3 dB across 0.6 to 1.1 GHz. The input and output return losses are better than 17.5 dB and 11 dB over 0.2 to 1.5 GHz, respectively. The measured P1dB is +3 dBm and IIP3 is 0 dBm with Vcc = 6 V and Ic = 8 mA. |
キーワード |
(和) |
差動増幅器 / マルチバンド / SiGe HBT / マイクロ波 / 共振器 / 帯域阻止 / / |
(英) |
Differential Amplifier / Multi-band / SiGe HBT / Microwave / Tank Circuit / Bandstop / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 154, MW2008-73, pp. 147-150, 2008年7月. |
資料番号 |
MW2008-73 |
発行日 |
2008-07-17 (MW, OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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