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講演抄録/キーワード
講演名 2008-07-25 13:00
[特別講演]パワーデバイス開発動向
四戸 孝東芝EE2008-28
抄録 (和) インバータ家電からハイブリッド自動車、新幹線など多くのパワーエレクトロニクス応用機器に使われ、社会インフラを支える省エネ・環境保全のキーデバイスとしてますますパワーデバイスの重要性が高まってきている。本稿では、Si-IGBT、スーパージャンクションMOSFET、SiCパワーデバイスなどのパワーデバイスの現状技術と将来展望について解説する。 
(英) Power semiconductor devices are widely used as energy saving devices in various power electronics apparatus, such as inverter home appliances, hybrid electric vehicles, and Shinkansen bullet trains. This paper presents an overview of the present status and future prospects of power semiconductor devices, which include Si-IGBTs, Super Junction MOSFETs and SiC power devices.
キーワード (和) パワー半導体デバイス / IGBT / SJ-MOSFET / SiC / SBD / PiN / JFET / MOSFET  
(英) Power Semiconductor Devices / IGBT / SJ-MOSFET / SiC / SBD / PiN / JFET / MOSFET  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 150, EE2008-28, pp. 95-100, 2008年7月.
資料番号 EE2008-28 
発行日 2008-07-17 (EE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EE2008-28

研究会情報
研究会 EE  
開催期間 2008-07-24 - 2008-07-25 
開催地(和) 釧路市生涯学習センター 
開催地(英)  
テーマ(和) エネルギー技術,半導体変換技術,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EE 
会議コード 2008-07-EE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) パワーデバイス開発動向 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Progress in Power Semiconductor Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) パワー半導体デバイス / Power Semiconductor Devices  
キーワード(2)(和/英) IGBT / IGBT  
キーワード(3)(和/英) SJ-MOSFET / SJ-MOSFET  
キーワード(4)(和/英) SiC / SiC  
キーワード(5)(和/英) SBD / SBD  
キーワード(6)(和/英) PiN / PiN  
キーワード(7)(和/英) JFET / JFET  
キーワード(8)(和/英) MOSFET / MOSFET  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 四戸 孝 / Takashi Shinohe / シノヘ タカシ
第1著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-07-25 13:00:00 
発表時間 60分 
申込先研究会 EE 
資料番号 EE2008-28 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.150 
ページ範囲 pp.95-100 
ページ数
発行日 2008-07-17 (EE) 


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