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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-25 13:00 ［特別講演］パワーデバイス開発動向 ○四戸 孝（東芝）  EE2008-28 |
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| 抄録 | （和） | インバータ家電からハイブリッド自動車、新幹線など多くのパワーエレクトロニクス応用機器に使われ、社会インフラを支える省エネ・環境保全のキーデバイスとしてますますパワーデバイスの重要性が高まってきている。本稿では、Si-IGBT、スーパージャンクションMOSFET、SiCパワーデバイスなどのパワーデバイスの現状技術と将来展望について解説する。 |
| （英） | Power semiconductor devices are widely used as energy saving devices in various power electronics apparatus, such as inverter home appliances, hybrid electric vehicles, and Shinkansen bullet trains. This paper presents an overview of the present status and future prospects of power semiconductor devices, which include Si-IGBTs, Super Junction MOSFETs and SiC power devices. | |
| キーワード | （和） | パワー半導体デバイス / IGBT / SJ-MOSFET / SiC / SBD / PiN / JFET / MOSFET |
| （英） | Power Semiconductor Devices / IGBT / SJ-MOSFET / SiC / SBD / PiN / JFET / MOSFET | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 150, EE2008-28, pp. 95-100, 2008年7月. | |
| 資料番号 | EE2008-28 | |
| 発行日 | 2008-07-17 (EE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EE2008-28 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
| 開催期間 | 2008-07-24 - 2008-07-25 |
| 開催地（和） | 釧路市生涯学習センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | エネルギー技術，半導体変換技術，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EE |
| 会議コード | 2008-07-EE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | パワーデバイス開発動向 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Progress in Power Semiconductor Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワー半導体デバイス / Power Semiconductor Devices |
| キーワード(2)（和/英） | IGBT / IGBT |
| キーワード(3)（和/英） | SJ-MOSFET / SJ-MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(5)（和/英） | SBD / SBD |
| キーワード(6)（和/英） | PiN / PiN |
| キーワード(7)（和/英） | JFET / JFET |
| キーワード(8)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 四戸 孝 / Takashi Shinohe / シノヘ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | （株）東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-25 13:00:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | EE |
| 資料番号 | EE2008-28 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.150 |
| ページ範囲 | pp.95-100 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-17 (EE) |
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