講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-07-25 13:00
[特別講演]パワーデバイス開発動向 ○四戸 孝(東芝) EE2008-28 |
抄録 |
(和) |
インバータ家電からハイブリッド自動車、新幹線など多くのパワーエレクトロニクス応用機器に使われ、社会インフラを支える省エネ・環境保全のキーデバイスとしてますますパワーデバイスの重要性が高まってきている。本稿では、Si-IGBT、スーパージャンクションMOSFET、SiCパワーデバイスなどのパワーデバイスの現状技術と将来展望について解説する。 |
(英) |
Power semiconductor devices are widely used as energy saving devices in various power electronics apparatus, such as inverter home appliances, hybrid electric vehicles, and Shinkansen bullet trains. This paper presents an overview of the present status and future prospects of power semiconductor devices, which include Si-IGBTs, Super Junction MOSFETs and SiC power devices. |
キーワード |
(和) |
パワー半導体デバイス / IGBT / SJ-MOSFET / SiC / SBD / PiN / JFET / MOSFET |
(英) |
Power Semiconductor Devices / IGBT / SJ-MOSFET / SiC / SBD / PiN / JFET / MOSFET |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 150, EE2008-28, pp. 95-100, 2008年7月. |
資料番号 |
EE2008-28 |
発行日 |
2008-07-17 (EE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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EE2008-28 |