| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2008-07-25 09:50
橋絡T型減衰器を用いた利得可変差動増幅器 ○坂本和良・白田真樹・中村健司・伊藤康之(湘南工科大) MW2008-74 OPE2008-57 |
| 抄録 |
(和) |
差動トランジスタペアのエミッタ間に橋絡T型減衰器を用い,橋絡T型減衰器を構成する抵抗をスイッチで切り替えることにより,ディジタル的に利得を制御する差動増幅器について述べる.ここでは1 dB, 2 dB, 4 dB, 8 dBの利得変化量を有する4ビットの差動増幅器を多段接続し,各ビットの利得を変化させることにより,1 dBステップで最大16 dBの利得可変特性を得る.本報告では0.35μm SiGe HBTを用いて4ビット16状態の利得可変特性を有する差動増幅器を設計,試作,評価した結果,1 GHz帯で利得が -7.4 dBから+9.1 dBまで1 dBステップで変化する利得可変特性が得られた.入出力反射損失は13 dB以上,出力反射損失は8.5 dB以上,雑音指数は3.3 dB以上,IIP3は-7 dBmであった.なおバイアス条件はVcc=6 V, Ic=14.8 mAである. |
| (英) |
An L-band digitally-controlled, variable gain differential amplifier (VGA) is presented. It employs a bridged-T attenuator circuit between emitters of the differential pair and achieves a gain variation of 1 dB, 2 dB, 4 dB, and 8 dB by switching an attenuation level. By cascading the 4-bit VGAs, the maximum gain variation of 16 dB with 1 dB step can be realized. The implemented 0.35 m SiGe HBT digitally-controlled VGA demonstrates a gain variation from -7.4 dB to +9.1 dB with 1 dB step at 1 GHz. The input and output return losses are better than 13 dB and 9.5 dB, respectively. The best noise figure was 3.3 dB. The measured IIP3 are -7 dBm with Vcc = 6 V and Ic = 14.8 mA. |
| キーワード |
(和) |
差動増幅器 / 利得可変 / SiGe HBT / マイクロ波 / 橋絡T型 / 減衰器 / / |
| (英) |
Differential Amplifier / Variable Gain / SiGe HBT / Microwave / Bridged-T / Attenuator / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 154, MW2008-74, pp. 151-156, 2008年7月. |
| 資料番号 |
MW2008-74 |
| 発行日 |
2008-07-17 (MW, OPE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
MW2008-74 OPE2008-57 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
OPE EMT MW |
| 開催期間 |
2008-07-24 - 2008-07-25 |
| 開催地(和) |
千歳アルカディア・プラザ |
| 開催地(英) |
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| テーマ(和) |
マイクロ波フォトニクス技術、一般 |
| テーマ(英) |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
MW |
| 会議コード |
2008-07-OPE-EMT-MW |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
橋絡T型減衰器を用いた利得可変差動増幅器 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Differential Variable Gain Amplifiers Using Bridged-T Attenuator Circuits |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
差動増幅器 / Differential Amplifier |
| キーワード(2)(和/英) |
利得可変 / Variable Gain |
| キーワード(3)(和/英) |
SiGe HBT / SiGe HBT |
| キーワード(4)(和/英) |
マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(5)(和/英) |
橋絡T型 / Bridged-T |
| キーワード(6)(和/英) |
減衰器 / Attenuator |
| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
坂本 和良 / Kazuyoshi Sakamoto / サカモト カズヨシ |
| 第1著者 所属(和/英) |
湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan IT) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
白田 真樹 / Masaki Shirata / シラタ マサキ |
| 第2著者 所属(和/英) |
湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan IT) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中村 健司 / Kenji Nakamura / ナカムラ ケンジ |
| 第3著者 所属(和/英) |
湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan IT) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
伊藤 康之 / Yasushi Itoh / イトウ ヤスシ |
| 第4著者 所属(和/英) |
湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan IT) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2008-07-25 09:50:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
MW |
| 資料番号 |
MW2008-74, OPE2008-57 |
| 巻番号(vol) |
vol.108 |
| 号番号(no) |
no.154(MW), no.155(OPE) |
| ページ範囲 |
pp.151-156 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2008-07-17 (MW, OPE) |
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