講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-08-04 13:50
リン添加ダイヤモンドナノチップアレーからの電界電子放出特性 ○山田貴壽・Christoph E. NEBEL・鹿田真一(産総研) ED2008-111 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-111 |
抄録 |
(和) |
酸素プラズマエッチングと気相成長(CVD)法により,リン添加ダイヤモンドチップアレーを作製し,電界電子放出特性を評価した.チップ先端の極率半径は約200nmであり,チップ高さは10µm程度であった.作製したチップアレーおよび平坦成長面からの電界電子放出特性を比較した.測定は真空アニール表面からの特性を評価した.チップアレー構造のしきい値電界は,平坦面に比べ低いことが確認できた.しかし,高電界領域ではエミッション電流の飽和傾向が観測された.さらに,チップアレー構造からのエミッション電流の経時変化は平坦面に比べ安定であることがわかった. |
(英) |
We succeeded fabrication of phosphorus-doped diamond tip array structure by oxygen-plasma etching and by diamond chemical vapor deposition, and measured field emission properties of tip array structures. Tip radii were about 200 nm and tip heights were about 10 µm. Field emission properties of both tip arrays and flat surfaces after vacuum annealing were characterized. The reduction of threshold field by tip array formation was confirmed. However, emission current saturation was detected at higher electric field regions. We found that the stable emission currents were obtained from tip array structures compared to flat surfaces. |
キーワード |
(和) |
リン添加ダイヤモンド / チップアレー / 真空熱処理 / 表面修飾 / 電界電子放出 / / / |
(英) |
phosphorus-doped diamond / tip array / vacuum annealing / surface modification / field emission / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 177, ED2008-111, pp. 11-14, 2008年8月. |
資料番号 |
ED2008-111 |
発行日 |
2008-07-28 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2008-111 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-111 |
研究会情報 |
研究会 |
ED |
開催期間 |
2008-08-04 - 2008-08-05 |
開催地(和) |
静岡大学浜松キャンパス |
開催地(英) |
Sizuoka Univ. Hamamatsu Campus |
テーマ(和) |
電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
テーマ(英) |
|
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2008-08-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
リン添加ダイヤモンドナノチップアレーからの電界電子放出特性 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
Field emission properties of phosphorus-doped diamond nano tip array |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
リン添加ダイヤモンド / phosphorus-doped diamond |
キーワード(2)(和/英) |
チップアレー / tip array |
キーワード(3)(和/英) |
真空熱処理 / vacuum annealing |
キーワード(4)(和/英) |
表面修飾 / surface modification |
キーワード(5)(和/英) |
電界電子放出 / field emission |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山田 貴壽 / Takatoshi Yamada / ヤマダ タカトシ |
第1著者 所属(和/英) |
産総研ダイヤRC (略称: 産総研)
AIST DRC (略称: AIST DRC) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
Christoph E. NEBEL / Christoph E. Nebel / クリストフ ネーベル |
第2著者 所属(和/英) |
産総研ダイヤRC (略称: 産総研)
AIST DRC (略称: AIST DRC) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鹿田 真一 / Shin-ichi Shikata / シカタ シンイチ |
第3著者 所属(和/英) |
産総研ダイヤRC (略称: 産総研)
AIST DRC (略称: AIST DRC) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第4著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2008-08-04 13:50:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2008-111 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.177 |
ページ範囲 |
pp.11-14 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2008-07-28 (ED) |