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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-08-28 13:45 GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器 ○山中宏治・湯川秀憲・井上 晃（三菱電機）  MW2008-84 |
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| 抄録 | （和） | GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている．一方，GaNの高耐圧という特徴に着目すると，高出力増幅器のみならず耐電力の高い低雑音増幅器としても有望である．今回GaN HEMTを用いたS帯低雑音増幅器の設計・試作を行った．その結果，約1dBの良好な雑音指数と35dBm以上の高い耐電力が同時に得られた．低コスト化の観点から整合回路基板はアルミナ基板で構成した．これによりGaN HEMTチップ面積は0.34mm2に抑えることができた．これは従来から報告されているGaN HEMT低雑音MMIC増幅器の約1/10のチップサイズである． |
| （英） | In this paper, an S-band GaN HEMT LNA, which uses a small discrete GaN HEMT chip to minimize the cost, is presented. It exhibited low noise performance of better than 1 dB noise figure. It also endured over 35dBm (3W) input power, which is large enough to eliminate limiters. SiC substrate occupation is only 0.34 mm2, which is the smallest die size for GaN HEMT LNAs ever reported. | |
| キーワード | （和） | GaN HEMT / 高電圧 / MODFET低雑音増幅器 / / / / / |
| （英） | GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET low noise amplifiers / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 195, MW2008-84, pp. 31-36, 2008年8月. | |
| 資料番号 | MW2008-84 | |
| 発行日 | 2008-08-21 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2008-84 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2008-08-28 - 2008-08-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学（豊中） |
| 開催地（英） | Osaka-Univ. (Toyonaka) |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-08-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | S-band GaN HEMT Low Noise Amplifier with High Survivability |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高電圧 / High-voltage techniques |
| キーワード(3)（和/英） | MODFET低雑音増幅器 / MODFET low noise amplifiers |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 湯川 秀憲 / Hidenori Yukawa / ユカワ ヒデノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 晃 / Akira Inoue / イノウエ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-08-28 13:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2008-84 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.195 |
| ページ範囲 | pp.31-36 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-08-21 (MW) |
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