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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-08-29 15:00 S帯,1kW高効率AlGaN/GaN HEMTパレットアンプ ○青嶋 真・三谷英三・佐野征吾（ユーディナデバイス）  MW2008-100 |
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| 抄録 | （和） | 我々はAlGaN/GaN HEMTを用いS帯ハイパワー パレットアンプを開発した。開発したパレットアンプは、パルス幅200μs・Duty=10%のゲートパルス条件下で、周波数2.9GHz-3.3GHz の400MHz帯域・ドレイン電圧65Vで飽和出力約800W・ドレイン効率52%以上を達成した。ドレイン電圧80V・周波数3.2GHzにおいては1kWの出力を記録した。また、過渡熱抵抗を用いた熱解析と、赤外線カメラによる実測定の結果、ハイパワーレーダーアプリケーション用途で、熱的に十分余裕があることが確認できた。 |
| （英） | We developed a kW-class AlGaN/GaN HEMT Pallet Amplifier operating at S-band. The pallet Amplifier consists of an internally partial-matched AlGaN/GaN HEMT optimized for S-band on a copper base with soft PC boards. The developed Pallet Amplifier showed excellent performance, which is output power of over 800 W, high linear gain of 13.6dB and high efficiency of 52% over the wide frequency range of 2.9-3.3 GHz, operating at 65 V drain voltage with the pulsed condition at a duty of 10% and a pulse width of 200usec. With 80 V drain voltage operation the peak power reached to 1 kW with 49.5% drain efficiency and 14.1 dB linear gain at 3.2 GHz. To the best of our knowledge, this is the highest power Pallet Amplifier ever reported for S-band. |
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| キーワード | （和） | 高出力 / パルス / S帯 / / / / / |
| （英） | GaN HEMT / High Power / Pulse / S-Band / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 195, MW2008-100, pp. 119-122, 2008年8月. | |
| 資料番号 | MW2008-100 | |
| 発行日 | 2008-08-21 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2008-100 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2008-08-28 - 2008-08-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学（豊中） |
| 開催地（英） | Osaka-Univ. (Toyonaka) |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-08-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | S帯,1kW高効率AlGaN/GaN HEMTパレットアンプ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A kW-class AlGaN/GaN HEMT Pallet Amplifier for S-band High Power Application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高出力 / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | パルス / High Power |
| キーワード(3)（和/英） | S帯 / Pulse |
| キーワード(4)（和/英） | / S-Band |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青嶋 真 / Makoto Aojima / アオジマ マコト |
| 第1著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 (略称： ユーディナデバイス) Eudyna Devices Inc. (略称： EUD) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三谷 英三 / Eizo Mitani / ミタニ エイゾウ |
| 第2著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 (略称： ユーディナデバイス) Eudyna Devices Inc. (略称： EUD) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 征吾 / Seigo Sano / サノ セイゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 (略称： ユーディナデバイス) Eudyna Devices Inc. (略称： EUD) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-08-29 15:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2008-100 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.195 |
| ページ範囲 | pp.119-122 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-08-21 (MW) |
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