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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-08-29 11:20 集中定数素子高調波処理回路を用いたマイクロ波逆F級GaN HEMT増幅器 ○石川 亮・阿部泰行・本城和彦（電通大）  MW2008-94 |
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| 抄録 | （和） | 集中定数素子により構成された高調波処理回路を用い，マイクロ波帯で動作する高効率逆Ｆ級AlGaN/GaN HEMT 増幅器の試作を行った．先ず，フォスターの方法による二端子リアクタンス回路の零点および極の設定法を応用した逆Ｆ級増幅器用高調波処理回路を考案し，４次高調波まで処理された逆Ｆ級負荷回路を設計し，実際に受動チップ素子を用いて試作を行った．更に，この逆Ｆ級負荷回路をマイクロ波AlGaN/GaN HEMT 増幅器に適用して逆Ｆ級増幅器を試作し，879 MHz でドレイン効率78.3 ％，電力付加効率76.3 ％を得た． |
| （英） | We have developed a microwave inverse class-F GaN HEMT amplifier using a harmonic treatment circuit constructed with lumped circuit elements. The harmonic treatment circuit consists of a series reactance network having zero impedance at the odd order harmonic frequencies and poles at the even order higher harmonic frequencies as well as a shunt reactance network having zero impedance at the odd order harmonic frequencies. The harmonic treatment circuit can be considered more than 4th order higher harmonic frequencies. A fabricated AlGaN/GaN HEMT inverse class-F amplifier considering up to 4th order higher harmonics delivered a power-added efficiency of 76.3% and a drain efficiency of 78.3% at 879 MHz. | |
| キーワード | （和） | マイクロ波 / 逆Ｆ級 / 増幅器 / 高効率 / 集中定数素子 / / / |
| （英） | microwave / inverse class-F / amplifier / high efficiency / lumped element / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 195, MW2008-94, pp. 87-92, 2008年8月. | |
| 資料番号 | MW2008-94 | |
| 発行日 | 2008-08-21 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2008-94 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2008-08-28 - 2008-08-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学（豊中） |
| 開催地（英） | Osaka-Univ. (Toyonaka) |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-08-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 集中定数素子高調波処理回路を用いたマイクロ波逆F級GaN HEMT増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microwave Inverse Class-F GaN HEMT Amplifier using Harmonic Treatment Circuit Constructed with Lumped Circuit Elements |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(2)（和/英） | 逆Ｆ級 / inverse class-F |
| キーワード(3)（和/英） | 増幅器 / amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(5)（和/英） | 集中定数素子 / lumped element |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阿部 泰行 / Yasuyuki Abe / |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-08-29 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2008-94 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.195 |
| ページ範囲 | pp.87-92 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-08-21 (MW) |
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