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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-10 13:30 Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大）  SDM2008-162 |
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| 抄録 | （和） | PtSiのn-Siに対する障壁高さを低減することを目的として、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行った。Pt/Hf/n-Si(100)積層構造を形成後、窒素中400-750℃のアニールを行いPtxHf1-xSiを形成した。Pt(15 nm)/Hf(8 nm)/n-Si(100)構造に対して、750℃/5 minでシリサイド化した場合、障壁高さが0.1 eV低減されたことに対し、400℃/60 minでシリサイド化した場合、障壁高さを0.3 eV低減可能であることが分かった。これは、400℃でシリサイド化した場合、平坦性が改善し、界面特性が向上したためと考えられる。 |
| （英） | Mechanisms of work function modulation in PtSi alloying with Hf was investigated. When a silicidation of Pt(15 nm)/Hf(8 nm)/n-Si(100) was carried out at 750 oC/5 min in N2 ambient, 0.1 eV reduction of barrier height for electron was observed, while 0.3 eV reduction was observed in case of 400oC/60 min silicidation. This is attributed to that the uniformity of the silicide thin film was improved in case of 400oC/60 min silicidation. | |
| キーワード | （和） | PtSi / モノシリサイド / 混晶 / 仕事関数 / シート抵抗 / / / |
| （英） | PtSi / mono-silicide / alloy / barrier height / sheet resistance / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 236, SDM2008-162, pp. 41-44, 2008年10月. | |
| 資料番号 | SDM2008-162 | |
| 発行日 | 2008-10-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-162 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-10-09 - 2008-10-10 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and Novel Process Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on work function modulation in PtSi alloying with Hf |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | PtSi / PtSi |
| キーワード(2)（和/英） | モノシリサイド / mono-silicide |
| キーワード(3)（和/英） | 混晶 / alloy |
| キーワード(4)（和/英） | 仕事関数 / barrier height |
| キーワード(5)（和/英） | シート抵抗 / sheet resistance |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高 峻 / Jun Gao / コウ シュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 純平 / Jumpei Ishikawa / イシカワ ジュンペイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-10 13:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-162 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.236 |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-10-02 (SDM) |
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