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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-10 16:15 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之（東北大）・荒谷 崇（信越化学）・樋口正顕（東芝）・須川成利（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・牛尾二郎（日立）・野平博司（武蔵工大）・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）  SDM2008-167 |
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| 抄録 | （和） | 研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励起角度分解光電子分光法による測定および解析を行った。検出深さが同じになるように放射光を調整しSi 2p、N 1s、O 1sからの光電子スペクトルの測定を行った。本研究で得られた主な結果を以下に示す。1)形成したシリコン窒化膜は1原子層のSi-$(OH)_3$Nで表面を覆われており、その面密度は、Si(100)やSi(110)に比べSi(111)では15%小さい。2)すべての面方位上の$Si_3N_4/Si$界面は 組成遷移が急峻である。これは、3つのN原子と１つのSi原子が結合するSi原子が検出されなかった結果に基づいている。3) $Si_3$$N_4$/Si/Si(110)界面におけるSi-H結合の数は$Si_3$$N_4$/Si(100)や$Si_3$$N_4$/Si(111)のそれ に比べ38～53%大きく、界面構造はシリコン基板の面方位に依存することを示している。 |
| （英） | Soft x-ray-excited angle-resolved photoemission results for nitride films formed using nitrogen-hydrogen radicals on Si(100), Si(111), and Si(110) are reported. The data were obtained using synchrotron radiation which allowed the Si 2p, N 1s, and O 1s levels to be investigated with the same probing depth. The following main results were obtained: 1) The $Si_3$$N_4$ film is covered with one monolayer of Si-$(OH)_3$N. Its areal density is 15% smaller on Si(111) than on Si(100) and Si (110), 2) the $Si_3$$N_4$/Si interfaces on all three surfaces are compositionally abrupt. This conclusion is based on the observation that no Si atoms bonded with three N atoms and one Si atom were detected, 3) The observation that the number of Si-H bonds at the $Si_3$$N_4$/Si(110) interface is 38~53% larger than those at the $Si_3$$N_4$/Si(100) and $Si_3$$N_4$/Si(111) interfaces indicates a dependence of the interface structure on the orientation of the substrate. | |
| キーワード | （和） | シリコン窒化膜 / ラジカル窒化 / 軟X線励起角度分解光電子分光 / / / / / |
| （英） | Silicon nitride film / nitrogen-hydrogen radical / Soft x-ray-excited angle-resolved photoemission / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 236, SDM2008-167, pp. 69-74, 2008年10月. | |
| 資料番号 | SDM2008-167 | |
| 発行日 | 2008-10-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-10-09 - 2008-10-10 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and Novel Process Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン窒化膜 / Silicon nitride film |
| キーワード(2)（和/英） | ラジカル窒化 / nitrogen-hydrogen radical |
| キーワード(3)（和/英） | 軟X線励起角度分解光電子分光 / Soft x-ray-excited angle-resolved photoemission |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒谷 崇 / Takashi Aratani / アラタニ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信越化学工業 (略称： 信越化学) Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (略称： Shin-Etsu Chemi.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 樋口 正顕 / Masaaki Higuchi / ヒグチ マサアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池永 英司 / Eiji Ikenaga / イケナガ エイジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) JASRI (略称： JASRI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牛尾 二郎 / Jiro Ushio / ウシオ ジロー |
| 第6著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野平 博司 / Hiroshi Nohira / ノヒラ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 (略称： 武蔵工大) Musashi Institute of Technology (略称： Musashi Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-10 16:15:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-167 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.236 |
| ページ範囲 | pp.69-74 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-10-02 (SDM) |
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