| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-22 17:30 MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した超低消費電力CMOS参照電圧源回路 ○上野憲一（北大）・廣瀬哲也（神戸大）・浅井哲也・雨宮好仁（北大）  ICD2008-68 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-68 |
|
| 抄録 | （和） | MOSFET のサブスレッショルド特性を利用した超低消費電力で動作する参照電圧源回路を提案する. この回路は, 絶対零度におけるMOSFET のしきい値電圧を出力する. 0.35-um CMOSプロセスにより試作を行い, その動作を確認した. -20℃ - 80℃の温度変動に対して参照電圧の値は745 mV の一定値であり, 温度係数は7 ppm/℃, 1.4 V - 3 V の電源電圧の変動に対して参照電圧の変動は20 ppm/Vであった. PSRR特性は, 100 Hzにおいて-45 dBである. この回路はサブスレッショルド領域と強反転線形領域で動作するCMOS 回路のみで構成し, 0.3 uWの超低消費電力で動作する. また, 回路の出力は絶対零度におけるMOSFET のしきい値電圧のため, オンチップでLSI 内のプロセスバラツキをモニタすることができる. したがって, 出力電圧の特性を利用することでアナログ回路のプロセスバラツキ補正に応用可能である. |
| （英） | An ultra-low power CMOS voltage reference circuit has been fabricated in 0.35-um standard CMOS process. The circuit generates a reference voltage based on threshold voltage of a MOSFET at absolute zero temperature. Theoretical analyses and experimental results showed that the circuit generates a quite stable reference voltage of 745 mV on average. The temperature coefficient and line sensitivity of the circuit were 7 ppm/degC and 20 ppm/V, respectively. The power supply rejection ratio (PSRR) was -45 dB at 100 Hz. The circuit consists of subthreshold MOSFETs with a low-power dissipation of 0.3 uW or less, and a 1.5-V power supply. Because the circuit generates a reference voltage based on threshold voltage of a MOSFET in an LSI chip, it can be used as an on-chip process monitoring circuit and a part of the on-chip process compensation circuit systems. |
|
| キーワード | （和） | CMOS / 参照電圧源 / サブスレッショルド(弱反転)領域 / 線形領域 / 極低消費電力 / / / |
| （英） | CMOS / Voltage reference / Subthreshold region / Weak-inversion / deep triode region / Ultra-low power / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 253, ICD2008-68, pp. 55-60, 2008年10月. | |
| 資料番号 | ICD2008-68 | |
| 発行日 | 2008-10-15 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2008-68 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-68 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2008-10-22 - 2008-10-24 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館3F |
| 開催地（英） | Hokkaido University |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-10-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した超低消費電力CMOS参照電圧源回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Ultra-low Power Voltage Reference consisting of Subthreshold MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | 参照電圧源 / Voltage reference |
| キーワード(3)（和/英） | サブスレッショルド(弱反転)領域 / Subthreshold region |
| キーワード(4)（和/英） | 線形領域 / Weak-inversion |
| キーワード(5)（和/英） | 極低消費電力 / deep triode region |
| キーワード(6)（和/英） | / Ultra-low power |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 憲一 / Ken Ueno / ウエノ ケンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 哲也 / Tetsuya Hirose / 廣瀬 哲也 |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 哲也 / Tetsuya Asai / アサイ テツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 雨宮 好仁 / Yoshihito Amemiya / アメミヤ ヨシヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-22 17:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2008-68 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.253 |
| ページ範囲 | pp.55-60 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-10-15 (ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]