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| 講演名 | 2008-10-23 11:10 ［招待講演］MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 ～ 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか ～ ○大黒達也（東芝）  ICD2008-74 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-74 |
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| 抄録 | （和） | MOSFETの微細化によってデジタル回路の高速化や高周波用回路を実現してきた。最近、特性向上のために ゲートの微細化だけでなく、ストレス印加による移動度向上、high-K ゲート絶縁膜によるゲートリークの抑制、メタルゲートによるゲート空乏化の改善も並行して検討されているが、これら新規技術がアナログ/RF特性に与える影響について御紹介する。 |
| （英） | High performance has been realized by gate length scaling of MOSFET. Recently, not only gate length scaling but also aggressive advanced technology has been introduced for high performance MOSFET. Those are increase of mobility due to stress for the channel, decrease of gate leakage current by using high K dielectric material and suppression of gate depletion by introducing metal gate electrode. In this paper, the affection to analog / RF performance from those techniques are presented. | |
| キーワード | （和） | アナログ / 高周波 / 1/f noise / Vth マッチング / / / / |
| （英） | Analog / RF / 1/f noise / Vth matching / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 253, ICD2008-74, pp. 89-94, 2008年10月. | |
| 資料番号 | ICD2008-74 | |
| 発行日 | 2008-10-15 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2008-74 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-74 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2008-10-22 - 2008-10-24 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館3F |
| 開催地（英） | Hokkaido University |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-10-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 |
| サブタイトル（和） | 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか |
| タイトル（英） | Analog/RF performance of scaled MOSFET |
| サブタイトル（英） | Is scaled MOSFET friend for analog/RF circuits? |
| キーワード(1)（和/英） | アナログ / Analog |
| キーワード(2)（和/英） | 高周波 / RF |
| キーワード(3)（和/英） | 1/f noise / 1/f noise |
| キーワード(4)（和/英） | Vth マッチング / Vth matching |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大黒 達也 / Tatsuya Ohguro / |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝セミコンコンダクター (略称： 東芝) Toshiba semiconductor company (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-23 11:10:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2008-74 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.253 |
| ページ範囲 | pp.89-94 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-10-15 (ICD) |
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