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講演抄録/キーワード
講演名 2008-10-23 13:50
4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発
池田成明賀屋秀介李 江古川拓也佐藤義浩加藤禎宏古河電工ED2008-148
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 108, no. 262, ED2008-148, pp. 139-142, 2008年10月.
資料番号 ED2008-148 
発行日 2008-10-16 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-148

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2008-10-23 - 2008-10-23 
開催地(和) 九州工業大学 
開催地(英) Kyushu Institute of Technology 
テーマ(和) パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般 
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2008-10-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High-power AlGaN/GaN HFETs on 4-inch Si substrates 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 成明 / Nariaki Ikeda / イケダ ナリアキ
第1著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric co., LTD, (略称: Furukawa Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 賀屋 秀介 / Syuusuke Kaya / カヤ シュウスケ
第2著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric co., LTD, (略称: Furukawa Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 江 / Jiang Li / リ コウ
第3著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric co., LTD, (略称: Furukawa Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 古川 拓也 / Takuya Kokawa / コカワ タクヤ
第4著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric co., LTD, (略称: Furukawa Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 義浩 / Yoshihiro Sato / サトウ ヨシヒロ
第5著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric co., LTD, (略称: Furukawa Electric)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 禎宏 / Sadahiro Kato / カトウ サダヒロ
第6著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric co., LTD, (略称: Furukawa Electric)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-10-23 13:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-148 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.262 
ページ範囲 pp.139-142 
ページ数
発行日 2008-10-16 (ED) 


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