| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2008-11-07 15:25
ポリ(3-ヘキシルチオフェン)LB膜の作製と評価 ○小出哲也・串田正人(千葉大) OME2008-63 |
| 抄録 |
(和) |
バルクにおいてポリチオフェンや金は高い導電性を持つが,高い導電性を保持したまま数ナノメートルオーダーの薄膜が作製できれば分子素子の面からも非常に興味深い.本研究ではポリ(3-ヘキシルチオフェン)をLangmuir-Blodgett法で薄膜を作製し,電気化学的にドーピングを試みた.ドーピングしたLB膜を金とアルミニウムの蒸着膜間に挟んだサンプルからの電圧発生が観測された.発生電圧には時間依存性があることが分かった.電気化学ドーピングによって発生電圧が上昇したことが測定された. |
| (英) |
The electrical conductivity of a bulky polythiophene or a bulky gold has high value. If the electrical conductivity of nanometer scale films of polythiophene or gold has high value, it is very interesting that the molecular devices are combined with these polythiophene. The Langmuir-Blodgett (LB) films were synthesized from poly(3-hexylthiophene) (P3HT), and the LB films of P3HT were doped by the electrochemical method in present study. Samples of Al/P3HT LB films/Au generated the voltage. The time dependence of the voltage generated from the Al/P3HT LB films/Au was measured. The electrochemical doping caused the generated voltage of the samples to increase. |
| キーワード |
(和) |
Langmuir-Blodgett膜 / ポリ(3-ヘキシルチオフェン) / 電気化学ドーピング / / / / / |
| (英) |
Langmuir-Blodgett films / Poly(3-hexylthiophene) / electrochemical doping / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 280, OME2008-63, pp. 29-32, 2008年11月. |
| 資料番号 |
OME2008-63 |
| 発行日 |
2008-10-31 (OME) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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