講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-11-14 10:00
次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(1) ~ 強安定収束シミュレータの開発 ~ ○桜井清吾・朱 日明・佐藤昌宏・山口 憲(アドバンスソフト) SDM2008-173 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-173 |
抄録 |
(和) |
本稿では次世代半導体デバイス設計に必要なシミュレータの要件を取り上げ、それらを満たすべく我々が開発をしているデバイスシミュレータについて、要件の一つであるアバランシェ増倍機構、GIDL(Gate-Induced Drain Leakage)、Double-gate SOI構造における強安定収束を中心に、その技術的手法と結果について紹介する。 |
(英) |
In listed requirements of device simulator for designing of semiconductor devices in next generation, we focus on one of the requirements and show techniques to get strong-stability on convergence, in addition the results of crucial problems on device simulation, ex. Avalanche breakdown, GIDL (Gate-Induced Drain Leakage), and Double-gate SOI models. |
キーワード |
(和) |
3次元デバイスシミュレーション / 強安定収束 / アバランシェ増倍機構 / GIDL / Double-Gate SOI / / / |
(英) |
3D device simulation / strong stability / Avalanche breakdown / GIDL / Double-gate SOI / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 292, SDM2008-173, pp. 27-32, 2008年11月. |
資料番号 |
SDM2008-173 |
発行日 |
2008-11-06 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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