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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-14 13:50 ［招待講演］[招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計 ○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・篠原尋史（ルネサステクノロジ）  SDM2008-178 |
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| 抄録 | （和） | 微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。これを改善するためにワード線降下によるリードアシスト回路および、VDD電位降下やネガティブビット線方式によるライトアシスト回路を提案し、実デバイス評価でその効果を確認した。 |
| （英） | We develop high-density SRAM module in deep-submicron CMOS technology with the variation tolerant assist circuits against process and temperature. The improved wordline suppression technique using replica cell transistors and passive resistances compensates the read stability against process variation. The negative bitline technique expands the write margin even at the 0.7 V lower supply voltage. Using 45-nm CMOS technology, we fabricated both SP and DP SRAMs with the proposed circuitry. We achieve robust operations from 0.7 V to 1.3 V wide supply voltage. | |
| キーワード | （和） | SRAM / ばらつき / アシスト回路 / SNM / ロバスト設計 / / / |
| （英） | SRAM / Variability / Assist Circuits / SNM / Robust Design / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 292, SDM2008-178, pp. 55-60, 2008年11月. | |
| 資料番号 | SDM2008-178 | |
| 発行日 | 2008-11-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-178 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-11-13 - 2008-11-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | [招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited]Robust Design of Embedded SRAM on Deep-submicron Technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | ばらつき / Variability |
| キーワード(3)（和/英） | アシスト回路 / Assist Circuits |
| キーワード(4)（和/英） | SNM / SNM |
| キーワード(5)（和/英） | ロバスト設計 / Robust Design |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大林 茂樹 / Shigeki Ohbayashi / オオバヤシ シゲキ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-14 13:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-178 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.292 |
| ページ範囲 | pp.55-60 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-06 (SDM) |
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