講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-11-14 13:50
[招待講演][招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計 ○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・篠原尋史(ルネサステクノロジ) SDM2008-178 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-178 |
抄録 |
(和) |
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。これを改善するためにワード線降下によるリードアシスト回路および、VDD電位降下やネガティブビット線方式によるライトアシスト回路を提案し、実デバイス評価でその効果を確認した。 |
(英) |
We develop high-density SRAM module in deep-submicron CMOS technology with the variation tolerant assist circuits against process and temperature. The improved wordline suppression technique using replica cell transistors and passive resistances compensates the read stability against process variation. The negative bitline technique expands the write margin even at the 0.7 V lower supply voltage. Using 45-nm CMOS technology, we fabricated both SP and DP SRAMs with the proposed circuitry. We achieve robust operations from 0.7 V to 1.3 V wide supply voltage. |
キーワード |
(和) |
SRAM / ばらつき / アシスト回路 / SNM / ロバスト設計 / / / |
(英) |
SRAM / Variability / Assist Circuits / SNM / Robust Design / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 292, SDM2008-178, pp. 55-60, 2008年11月. |
資料番号 |
SDM2008-178 |
発行日 |
2008-11-06 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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