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講演抄録/キーワード
講演名 2008-11-14 13:50
[招待講演][招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計
新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹篠原尋史ルネサステクノロジSDM2008-178 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-178
抄録 (和) 微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。これを改善するためにワード線降下によるリードアシスト回路および、VDD電位降下やネガティブビット線方式によるライトアシスト回路を提案し、実デバイス評価でその効果を確認した。 
(英) We develop high-density SRAM module in deep-submicron CMOS technology with the variation tolerant assist circuits against process and temperature. The improved wordline suppression technique using replica cell transistors and passive resistances compensates the read stability against process variation. The negative bitline technique expands the write margin even at the 0.7 V lower supply voltage. Using 45-nm CMOS technology, we fabricated both SP and DP SRAMs with the proposed circuitry. We achieve robust operations from 0.7 V to 1.3 V wide supply voltage.
キーワード (和) SRAM / ばらつき / アシスト回路 / SNM / ロバスト設計 / / /  
(英) SRAM / Variability / Assist Circuits / SNM / Robust Design / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 292, SDM2008-178, pp. 55-60, 2008年11月.
資料番号 SDM2008-178 
発行日 2008-11-06 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2008-178 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-178

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2008-11-13 - 2008-11-14 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) [招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) [Invited]Robust Design of Embedded SRAM on Deep-submicron Technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) ばらつき / Variability  
キーワード(3)(和/英) アシスト回路 / Assist Circuits  
キーワード(4)(和/英) SNM / SNM  
キーワード(5)(和/英) ロバスト設計 / Robust Design  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第1著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Technology Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト
第2著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Technology Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ
第3著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Technology Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大林 茂樹 / Shigeki Ohbayashi / オオバヤシ シゲキ
第4著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Technology Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ
第5著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Technology Corp.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-11-14 13:50:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2008-178 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.292 
ページ範囲 pp.55-60 
ページ数
発行日 2008-11-06 (SDM) 


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