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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-17 16:30 高信頼セルによる回路の信頼性評価 ○堀田敬一・中田 尚・中西正樹・山下 茂・中島康彦（奈良先端大）  VLD2008-75 DC2008-43 |
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| 抄録 | （和） | 近年のトランジスタ製造によるプロセス微細化によって，トランジスタの故障率の増加が問題となっている．そこで故障率の増加を抑える手法として，高信頼セルを用いて回路を構成する手法が提案されている．高信頼セルは従来セルと比較して耐故障性が高いと考えられている．この耐故障性を定量的に扱うためには，信頼性評価を行う必要がある．信頼性評価手法はいくつか提案されているが，従来手法を用いて高信頼セルの信頼性評価を行う場合，信頼性を正確に評価できない問題が生じる．そこで本論文では，正確な評価を行うためにトランジスタの故障率をもとに回路全体の信頼性を評価する手法を提案する．これにより従来セルと高信頼セルによる回路の信頼性を定量的に評価することが可能になる．提案手法を用いた従来セルと高信頼セルの信頼性の評価実験を行った結果，従来セルと 比較して高信頼セルの信頼性がどの程度高いかを定量的に示した． |
| （英） | Recently, the shrinking process causes transistor variation and growth of error rate. Highly Reliable Cells (HRCs) have been proposed to solve these problems. We need to evaluate reliability of them quantitatively, because they are considered to be highly reliable. Although, there have been proposed several methods to evaluate the reliability, they cannot evaluate the reliability of circuits by HRCs accurately. Therefore, in this paper, we propose a new evaluation method for the reliability of circuits based on the fault probability of each transistor. The method can evaluate the reliablity of circuits by HRCs or the CMOS cells. The experimental results show that HRCs are more reliable than the CMOS cells. |
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| キーワード | （和） | 信頼性評価 / 耐故障性 / 性能ばらつき / / / / / |
| （英） | reliability evaluation / fault tolerance / transistor variation / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 298, VLD2008-75, pp. 91-96, 2008年11月. | |
| 資料番号 | VLD2008-75 | |
| 発行日 | 2008-11-10 (VLD, DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2008-75 DC2008-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM |
| 開催期間 | 2008-11-17 - 2008-11-19 |
| 開催地（和） | 北九州学術研究都市 |
| 開催地（英） | Kitakyushu Science and Research Park |
| テーマ（和） | デザインガイア2008 ―VLSI設計の新しい大地― |
| テーマ（英） | Design Gaia 2008 ―New field of VLSI design― |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2008-11-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高信頼セルによる回路の信頼性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluating the reliability of Highly Reliable Cell Circuits |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 信頼性評価 / reliability evaluation |
| キーワード(2)（和/英） | 耐故障性 / fault tolerance |
| キーワード(3)（和/英） | 性能ばらつき / transistor variation |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀田 敬一 / Keiichi Hotta / ホッタ ケイイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Institute of Science and Technology) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 尚 / Takashi Nakada / ナカダ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Institute of Science and Technology) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中西 正樹 / Masaki Nakanishi / ナカニシ マサキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Institute of Science and Technology) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 茂 / Shigeru Yamashita / ヤマシタ シゲル |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Institute of Science and Technology) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 康彦 / Yasuhiko Nakashima / ナカシマ ヤスヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Institute of Science and Technology) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-17 16:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2008-75, DC2008-43 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.298(VLD), no.299(DC) |
| ページ範囲 | pp.91-96 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-10 (VLD, DC) |
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