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講演抄録/キーワード
講演名
2008-12-05 13:15
[招待講演]金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
○
渡部平司
・
喜多祐起
・
細井卓治
・
志村考功
(
阪大
)・
白石賢二
(
筑波大
)・
奈良安雄
(
半導体先端テクノロジーズ
)・
山田啓作
(
早大
)
SDM2008-188
エレソ技報アーカイブへのリンク:
SDM2008-188
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-188, pp. 21-25, 2008年12月.
資料番号
SDM2008-188
発行日
2008-11-28 (SDM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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SDM2008-188
エレソ技報アーカイブへのリンク:
SDM2008-188
研究会情報
研究会
SDM
開催期間
2008-12-05 - 2008-12-05
開催地(和)
京都大学桂キャンパスA1-001
開催地(英)
Kyoto University, Katsura Campus, A1-001
テーマ(和)
シリコン関連材料の作製と評価
テーマ(英)
Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials and Devices
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2008-12-SDM
本文の言語
日本語
タイトル(和)
金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Mechanisms of Effective Work Function Modulation of Metal/Hf-based High-k Gate Stacks
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
/
キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
渡部 平司
/
Heiji Watanabe
/
ワタナベ ヘイジ
第1著者 所属(和/英)
大阪大学
(略称:
阪大
)
Osaka University
(略称:
Osaka Univ.
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
喜多 祐起
/
Yuki Kita
/
キタ ユウキ
第2著者 所属(和/英)
大阪大学
(略称:
阪大
)
Osaka University
(略称:
Osaka Univ.
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
細井 卓治
/
Takuji Hosoi
/
ホソイ タクジ
第3著者 所属(和/英)
大阪大学
(略称:
阪大
)
Osaka University
(略称:
Osaka Univ.
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
志村 考功
/
Takayoshi Shimura
/
シムラ タカヨシ
第4著者 所属(和/英)
大阪大学
(略称:
阪大
)
Osaka University
(略称:
Osaka Univ.
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
白石 賢二
/
Kenji Shiraishi
/
シライシ ケンジ
第5著者 所属(和/英)
筑波大学
(略称:
筑波大
)
University of Tsukuba
(略称:
Univ. of Tsukuba
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
奈良 安雄
/
Yasuo Nara
/
ナラ ヤスオ
第6著者 所属(和/英)
半導体先端テクノロジーズ
(略称:
半導体先端テクノロジーズ
)
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.
(略称:
SELETE
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
山田 啓作
/
Keisaku Yamada
/
ヤマダ ケイサク
第7著者 所属(和/英)
早稲田大学
(略称:
早大
)
Waseda University
(略称:
Waseda Univ.
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第8著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第10著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第15著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2008-12-05 13:15:00
発表時間
35分
申込先研究会
SDM
資料番号
SDM2008-188
巻番号(vol)
vol.108
号番号(no)
no.335
ページ範囲
pp.21-25
ページ数
5
発行日
2008-11-28 (SDM)
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