| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-05 13:15 ［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 ○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）  SDM2008-188 |
|
| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-188, pp. 21-25, 2008年12月. | |
| 資料番号 | SDM2008-188 | |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-188 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-12-05 - 2008-12-05 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパスA1-001 |
| 開催地（英） | Kyoto University, Katsura Campus, A1-001 |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mechanisms of Effective Work Function Modulation of Metal/Hf-based High-k Gate Stacks |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 喜多 祐起 / Yuki Kita / キタ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奈良 安雄 / Yasuo Nara / ナラ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (略称： SELETE) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 啓作 / Keisaku Yamada / ヤマダ ケイサク |
| 第7著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-05 13:15:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-188 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.335 |
| ページ範囲 | pp.21-25 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]