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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-05 13:50 バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価 ○入船裕行・矢野裕司・浦岡行治・冬木 隆・山下一郎（奈良先端大）  SDM2008-189 |
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| 抄録 | （和） | 我々は，これまでにバイオナノドット（BND）を電荷保持ノードとしたフローティングゲート型メモリの開発を行ってきた．本研究では，極薄トンネル酸化膜（≦3 nm）を用いたBNDフローティングゲート金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の特性の評価を行った．トンネル酸化膜厚を1.5 nmと極薄化した場合のId-Vg特性はヒステリシスを示すが，平行シフトではない．これは，トンネル酸化膜を薄くしたときはゲート電圧挿引によるドレイン電流の増加とともに徐々に電子がドットに注入され、それに伴うしきい値電圧の変化のためであると考えられる． |
| （英） | So far, we have already developed floating gate memory devices using bio-nano-dot (BND). In this study, we fabricated and characterized BND floating-gate MOSFETs with ultra-thin tunnel oxide. Drain current-gate voltage (Id-Vg) characteristics showed clear hysteresis, but it was not a parallel shift when using ultra-thin tunnel oxide of 1.5 nm. Electrons in the channel are captured by the BND during gate voltage sweep, and then threshold voltage increases resulting in decreased drain current. Retention characteristics are also discussed. | |
| キーワード | （和） | バイオナノプロセス / ナノドットデバイス / 直接トンネリング / 極薄トンネル酸化膜 / / / / |
| （英） | bio-nano-process / nanodot device / direct tunneling / ultra thin tunneling oxide / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-189, pp. 27-30, 2008年12月. | |
| 資料番号 | SDM2008-189 | |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-189 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-12-05 - 2008-12-05 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパスA1-001 |
| 開催地（英） | Kyoto University, Katsura Campus, A1-001 |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of Bio-Nano-Dot Floating-gate MOSFETs with Ultra-thin Tunnel Oxide |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | バイオナノプロセス / bio-nano-process |
| キーワード(2)（和/英） | ナノドットデバイス / nanodot device |
| キーワード(3)（和/英） | 直接トンネリング / direct tunneling |
| キーワード(4)（和/英） | 極薄トンネル酸化膜 / ultra thin tunneling oxide |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 入船 裕行 / Hiroyuki Irifune / イリフネ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute ofScience and Tecnology (略称： Nara Institute ofScience and Tecnology) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute ofScience and Tecnology (略称： Nara Institute ofScience and Tecnology) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute ofScience and Tecnology (略称： Nara Institute ofScience and Tecnology) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute ofScience and Tecnology (略称： Nara Institute ofScience and Tecnology) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 一郎 / Ichiro Yamashita / ヤマシタ イチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute ofScience and Tecnology (略称： Nara Institute ofScience and Tecnology) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-05 13:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-189 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.335 |
| ページ範囲 | pp.27-30 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) |
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