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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-05 14:30 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上 ○南園悠一郎・吉岡裕典・登尾正人・須田 淳・木本恒暢（京大）  SDM2008-191 |
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| 抄録 | （和） | パワーデバイス用半導体材料として期待されているシリコンカーバイド (SiC)を用いて，立体ゲート構造MOSFETを作製した．立体ゲート構造の側壁利用によって実効的なチャネル幅が増加し、ドレイン電流が増加する．立体ゲート構造SiC MOSFETに適用した場合，チャネル移動度の高い{11-20}面を側壁に用いれば，さらにドレイン電流の増加が期待される．イオン注入，ドライエッチング，堆積酸化膜形成プロセスを集約して，p型4H-SiC(0001)面上に立体ゲート構造MOSFETを作製した．測定の結果，チャネル長5 um，立体ゲート幅1 um，立体ゲート高さ0.8 umの素子でVTH = 3.8 V，S値 = 210 mV/decadeの特性が得られた．規格化ドレイン電流が0.66 uA/um (VG = 10 V，VD = 0.1 V)と，平面型MOSFETの約20倍のドレイン電流が得られた． |
| （英） | 4H-SiC (0001) MOSFETs with a three-dimensional gate structure, which has side-wall channels on the {11-20} face have been fabricated. Drain current is expected to increase due to geometrical effects of the three-dimensional gate structure and high channel mobility on the {11-20} face. The fabricated MOSFETs have exhibited superior characteristics: the subthreshold swing and VTH are, 210 mV/decade and 3.8 V, respectively. The drain current normalized by the gate width is increasing with decreasing the gate width. The normalized drain current of a 1 um-wide MOSFET is twenty times higher than that of a conventional planar MOSFET. | |
| キーワード | （和） | シリコンカーバイド(SiC) / MOSFET / 立体ゲート構造 / / / / / |
| （英） | silicon carbide (SiC) / MOSFET / three-dimensional gate structure / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-191, pp. 37-41, 2008年12月. | |
| 資料番号 | SDM2008-191 | |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-191 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-12-05 - 2008-12-05 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパスA1-001 |
| 開催地（英） | Kyoto University, Katsura Campus, A1-001 |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improved Performance of an SiC MOSFET by a Three-Dimensional Gate Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド(SiC) / silicon carbide (SiC) |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 立体ゲート構造 / three-dimensional gate structure |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南園 悠一郎 / Yuichiro Nanen / ナンエン ユウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 裕典 / Hironori Yoshioka / ヨシオカ ヒロノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 登尾 正人 / Masato Noborio / ノボリオ マサト |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-05 14:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-191 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.335 |
| ページ範囲 | pp.37-41 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) |
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