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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-05 15:10 アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価 ○山口正樹・大場友弘（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大）  SDM2008-192 |
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| 抄録 | （和） | 近年，次世代の薄膜形成手法のひとつであるプリンテッド・エレクトロニクス手法に応用できるアルコール系インクから強誘電体薄膜の合成を行い，その電気的特性の検討から特性の改善を試みた．前駆体膜を繰返し塗布した後，一括して結晶化処理を行った場合には，漏れ電流が大きく，絶縁破壊電界が小さくなる．そこで前駆体膜を一層毎結晶化することにより，自発分極および抗電界はそれぞれ13.2μC/cm2および14.8kV/cmと改善された． |
| （英） | The inkjet technique is devised as one of the thin film formation method of the next generation. We synthesized the ferroelectric thin film of bismuth titanate by using alcohol-related solutions. Ferro- and dielectric characteristics has been improved by a new thin film formation process. The remanent polarization and the coercive field were 13.2μC/cm2 and 14.8kV/cm, respectively. | |
| キーワード | （和） | アルコール系インク / チタン酸ビスマス / 薄膜 / インクジェットプリンタ / / / / |
| （英） | Alcohol-Related Solutions / Bismuth Titanate / Thin Films / Inkjet Printer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-192, pp. 43-47, 2008年12月. | |
| 資料番号 | SDM2008-192 | |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-192 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-12-05 - 2008-12-05 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパスA1-001 |
| 開催地（英） | Kyoto University, Katsura Campus, A1-001 |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of Ferroelectric Thin Films by Alcohol Rerated Materials |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | アルコール系インク / Alcohol-Related Solutions |
| キーワード(2)（和/英） | チタン酸ビスマス / Bismuth Titanate |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / Thin Films |
| キーワード(4)（和/英） | インクジェットプリンタ / Inkjet Printer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 正樹 / Masaki Yamaguchi / ヤマグチ マサキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大場 友弘 / Tomohiro Oba / マスダ ヨウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増田 陽一郎 / Yoichiro Masuda / |
| 第3著者 所属（和/英） | 八戸工業大学 (略称： 八戸工大) Hachinohe Institute of Technology (略称： Hachinohe Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-05 15:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-192 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.335 |
| ページ範囲 | pp.43-47 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) |
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