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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-11 16:20 垂直磁化MRAM用応力アシスト磁化反転の改善指針 ○齋藤直哉・中川茂樹（東工大）  MR2008-43 |
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| 抄録 | （和） | MRAMは次世代のメモリとして期待されているが，情報書き込み時の高い消費電力が実用化を妨げている．そこで我々は新しい書き込み方式として垂直MRAM用応力アシスト磁化反転(Stress Assisted Magnetization Reversal: SAMR)方式を提案している．これまでの報告により，磁歪材料であるDyFeCo薄膜に 330 MPa の応力を印加することで保磁力が 1400 O eに対して 200 Oe で磁化反転する結果が得られている．本報告ではSAMRのさらなる印加応力の低減化を狙い，超磁歪材料であるTerfenol-D ($Tb_{9.3}$$Dy_{25.2}$$Fe_{65.5}$) を試料として用いた．測定結果より低応力かつ低磁界磁化反転に向けた今後の指針について考察していく． |
| （英） | MRAM has been regarded as a next generation memory. However, high power consumption arising from writing process is one of the demerits for practical realization. So we have proposed a stress assisted magnetization reversal (SAMR) method for perpendicular MRAM. In our previous study, perpendicular magnetization of DyFeCo thin films, that have 1400 Oe of original coercivity, could be reversed at 200 Oe field by applying 330 MPa stress. In this study, Terfenol-D was focused as giant magnetostrictive material to attain magnetization reversal at lower stress. Additionally, a guideline to attain magnetization reversal at lower stress and lower field was discussed based on measurement results. | |
| キーワード | （和） | 垂直MRAM / 応力アシスト磁化反転 / SAMR / Terfenol-D / / / / |
| （英） | Perpendicular MRAM / Stress assisted magnetization reversal / SAMR / Terfenol-D / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, 2008年12月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2008-12-04 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2008-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2008-12-11 - 2008-12-12 |
| 開催地（和） | 愛媛大学総合情報メディアセンター１F メディアホール |
| 開催地（英） | Ehime University |
| テーマ（和） | 信号処理および一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2008-12-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 垂直磁化MRAM用応力アシスト磁化反転の改善指針 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Road map of stress assisted magnetization reversal for perpendicular MRAM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 垂直MRAM / Perpendicular MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 応力アシスト磁化反転 / Stress assisted magnetization reversal |
| キーワード(3)（和/英） | SAMR / SAMR |
| キーワード(4)（和/英） | Terfenol-D / Terfenol-D |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 直哉 / Naoya Saito / サイトウ ナオヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワ シゲキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-11 16:20:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2008-43 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.346 |
| ページ範囲 | pp.31-36 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-12-04 (MR) |
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