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講演抄録/キーワード
講演名
2008-12-12 14:35
半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ
○
奥村忠嗣
・
黒川宗高
・
白尾瑞基
・
近藤大介
・
伊藤 瞳
・
西山伸彦
・
荒井滋久
(
東工大
)
LQE2008-137
エレソ技報アーカイブへのリンク:
LQE2008-137
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 108, no. 351, LQE2008-137, pp. 47-52, 2008年12月.
資料番号
LQE2008-137
発行日
2008-12-05 (LQE)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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LQE2008-137
エレソ技報アーカイブへのリンク:
LQE2008-137
研究会情報
研究会
LQE
開催期間
2008-12-12 - 2008-12-12
開催地(和)
機械振興会館 地下3階2号室
開催地(英)
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg.
テーマ(和)
半導体レーザ関連技術,及び一般
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
LQE
会議コード
2008-12-LQE
本文の言語
日本語
タイトル(和)
半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Lateral current injection type GaInAsP laser on Semi-insulating Substrate for Semiconductor Membrane Laser
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
奥村 忠嗣
/
Tadashi Okumura
/
オクムラ ダダシ
第1著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo tech
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
黒川 宗高
/
Munetaka Kurokawa
/
クロカワ ムネタカ
第2著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Inst. of Tech
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
白尾 瑞基
/
Mizuki Shirao
/
シラオ ミズキ
第3著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo tech
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
近藤 大介
/
Daisuke Kondo
/
コンドウ ダイスケ
第4著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo tech
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
伊藤 瞳
/
Hitomi Ito
/
イトウ ヒトミ
第5著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo tech
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
西山 伸彦
/
Nobuhiko Nishiyama
/
ニシヤマ ノブヒコ
第6著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo tech
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
荒井 滋久
/
Shigehisa Arai
/
アライ シゲヒサ
第7著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo tech
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第8著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第10著者 所属(和/英)
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第12著者 所属(和/英)
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
(略称: )
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第15著者 所属(和/英)
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第17著者 所属(和/英)
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2008-12-12 14:35:00
発表時間
25分
申込先研究会
LQE
資料番号
LQE2008-137
巻番号(vol)
vol.108
号番号(no)
no.351
ページ範囲
pp.47-52
ページ数
6
発行日
2008-12-05 (LQE)
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