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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-12 15:15 5 GHz帯高温超伝導リアクション送信フィルタを用いたGaN HEMT電力増幅器の隣接帯域ひずみ抑圧および電力効率改善 ○二ッ森俊一・日景 隆・野島俊雄（北大）・赤瀬川章彦・中西 輝・山中一典（富士通）  MW2008-158 |
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| 抄録 | （和） | マイクロ波高温超伝導リアクション送信フィルタを用いた，電力増幅器の相互変調ひずみ（IMD）抑圧法を提案する．非常に急峻なフィルタ特性によるIMD抑圧を実現することで，隣接チャネル漏洩電力比（ACLR）改善および増幅器の電力効率改善が可能となる．はじめに，無負荷Q値増加および表面電流密度低下のため，これまで提案している分割オープンリング共振器の構造最適化を行う．さらに，最適化した共振器を用いた帯域幅4 MHzおよび遮断特性40 dB/MHz以上の5 GHzリアクションフィルタの設計および試作を行う．フィルタ適用によりACLR値は最大12.8 dB改善し，通過電力40 dBm時においてもその改善効果を維持可能であることを，5 GHz帯電力増幅器ACLR評価実験で確認した．最後に，リアクションフィルタおよびGaN HEMT電力増幅器の測定結果に基づく数値解析を行い，ドレイン効率15.7 %から44.2 %まで改善可能となる可能性を明らかにした． |
| （英） | We propose a new band selective stop filter construction to decrease the out of band intermodulation distortion (IMD) noise generated in the transmitting power amplifier. Suppression of IMD noise directly improves the adjacent channel leakage power ratio (ACLR). Firstly, the structure of a 5-GHz split open-ring resonator is investigated. Then, a designed 5-GHz HTS-RTF with 4 MHz suppression bandwidth and more than 40 dB/MHz sharp skirt is fabricated and experimentally investigated. The measured ACLR values are improved by a maximum of 12.8 dB and are constant up to the passband signal power of 40 dBm. Finally, numerical analyses based on measured results of gallium nitride HEMT power amplifier characteristics are conducted. The analyzed results shows the drain efficiency of the amplifier can be improved to 44.2 % of the amplifier with the filter from the 15.7 % of the without filter. | |
| キーワード | （和） | 隣接チャネル漏洩電力比 / 高温超伝導体 / リアクションフィルタ / / / / / |
| （英） | Adjacent channel leakage power ratio / High-temperature superconductor / Reaction-type filter / ACLR / HTS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 350, MW2008-158, pp. 71-76, 2008年12月. | |
| 資料番号 | MW2008-158 | |
| 発行日 | 2008-12-05 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2008-158 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2008-12-12 - 2008-12-12 |
| 開催地（和） | 富山大学（五福キャンパス） |
| 開催地（英） | Toyama-Univ. Gofuku-camp. |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-12-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 5 GHz帯高温超伝導リアクション送信フィルタを用いたGaN HEMT電力増幅器の隣接帯域ひずみ抑圧および電力効率改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Novel Filter Construction Utilizing HTS Reaction-Type Filter to Improve Adjacent Channel Leakage Power Ratio of GaN HEMT Power Amplifiers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 隣接チャネル漏洩電力比 / Adjacent channel leakage power ratio |
| キーワード(2)（和/英） | 高温超伝導体 / High-temperature superconductor |
| キーワード(3)（和/英） | リアクションフィルタ / Reaction-type filter |
| キーワード(4)（和/英） | / ACLR |
| キーワード(5)（和/英） | / HTS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二ッ森 俊一 / Shunichi Futatsumori / フタツモリ シュンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日景 隆 / Takashi Hikage / ヒカゲ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野島 俊雄 / Toshio Nojima / ノジマ トシオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤瀬川 章彦 / Akihiko Akasegawa / アカセガワ アキヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu Ltd.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中西 輝 / Teru Nakanishi / ナカニシ テル |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu Ltd.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 一典 / Kazunori Yamanaka / ヤマナカ カズノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu Ltd.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-12 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2008-158 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.350 |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-12-05 (MW) |
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