講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-12-12 14:50
GaN HEMTを用いたX帯アクティブフェーズドアレーアンテナ用アンプユニット ○鈴木亮太・中田大平・熊本 剛・佐竹芳彰・菅藤和博(東芝) MW2008-157 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2008-157 |
抄録 |
(和) |
送信最終段にGaN HEMTを用いた高出力送信回路,および低雑音受信回路を各16系統内蔵し,それぞれの回路にMMICを用いた位相制御機能を付加した,X帯アクティブフェーズドアレーアンテナ用アンプユニットを開発した.
パルス動作において1系統あたりの送信出力がユニット出力端で30W(全系統の合計送信出力480W)となる送信性能を確認し,さらに移相性能と受信性能についても良好な結果を得た.
これにより,アクティブフェーズドアレーアンテナの高出力化が可能となる. |
(英) |
An X-band power amplifier unit for an active phased array antenna is developed, which has 16 transmitter circuits with GaN HEMTs and 16 receiver circuits with LNAs.
The developed unit achieved the peak output power of 30W/channel (480W/unit) under the pulse operation, and we confirmed its excellent performances of the receiver circuit and the phase-shifter. |
キーワード |
(和) |
GaN / HEMT / X帯 / 高出力 / パルス動作 / フェーズドアレーアンテナ / / |
(英) |
GaN / HEMT / X-band / high power / pulse operation / phased array antenna / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 350, MW2008-157, pp. 65-69, 2008年12月. |
資料番号 |
MW2008-157 |
発行日 |
2008-12-05 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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