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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-12 14:50 GaN HEMTを用いたX帯アクティブフェーズドアレーアンテナ用アンプユニット ○鈴木亮太・中田大平・熊本 剛・佐竹芳彰・菅藤和博（東芝）  MW2008-157 |
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| 抄録 | （和） | 送信最終段にGaN HEMTを用いた高出力送信回路，および低雑音受信回路を各16系統内蔵し，それぞれの回路にMMICを用いた位相制御機能を付加した，X帯アクティブフェーズドアレーアンテナ用アンプユニットを開発した． パルス動作において1系統あたりの送信出力がユニット出力端で30W（全系統の合計送信出力480W）となる送信性能を確認し，さらに移相性能と受信性能についても良好な結果を得た． これにより，アクティブフェーズドアレーアンテナの高出力化が可能となる． |
| （英） | An X-band power amplifier unit for an active phased array antenna is developed, which has 16 transmitter circuits with GaN HEMTs and 16 receiver circuits with LNAs. The developed unit achieved the peak output power of 30W/channel (480W/unit) under the pulse operation, and we confirmed its excellent performances of the receiver circuit and the phase-shifter. |
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| キーワード | （和） | GaN / HEMT / X帯 / 高出力 / パルス動作 / フェーズドアレーアンテナ / / |
| （英） | GaN / HEMT / X-band / high power / pulse operation / phased array antenna / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 350, MW2008-157, pp. 65-69, 2008年12月. | |
| 資料番号 | MW2008-157 | |
| 発行日 | 2008-12-05 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2008-157 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2008-12-12 - 2008-12-12 |
| 開催地（和） | 富山大学（五福キャンパス） |
| 開催地（英） | Toyama-Univ. Gofuku-camp. |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-12-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN HEMTを用いたX帯アクティブフェーズドアレーアンテナ用アンプユニット |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An X-Band GaN HEMT Power Amplifier Unit for a Active Phased Array Antenna |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | X帯 / X-band |
| キーワード(4)（和/英） | 高出力 / high power |
| キーワード(5)（和/英） | パルス動作 / pulse operation |
| キーワード(6)（和/英） | フェーズドアレーアンテナ / phased array antenna |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 亮太 / Ryota Suzuki / スズキ リョウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 大平 / Taihei Nakata / ナカタ タイヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊本 剛 / Tsuyoshi Kumamoto / クマモト ツヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐竹 芳彰 / Yoshiaki Satake / サタケ ヨシアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅藤 和博 / Kazuhiro Kanto / カントウ カズヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-12 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2008-157 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.350 |
| ページ範囲 | pp.65-69 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-12-05 (MW) |
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