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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-12 15:10 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓 ○野村一郎・岸野克巳・蛯沢智也・櫛田 俊・田才邦彦・中村 均・朝妻庸紀・中島 博（上智大）  LQE2008-138 |
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| 抄録 | （和） | InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe?-?族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望である。我々はこれら材料の開拓を進め、活性層にBeZnSeTe、nクラッド層にMgSe/ZnCdSe超格子、pクラッド層にMgSe/BeZnTe超格子を用いた発光素子の開発を行ってきた。その結果、5000時間以上の素子寿命を達成し、?-?族素子としては大幅な改善を得た。一方、BeZnSeTeを活性層とするダブルへテロ構造では室温において緑色光励起発振に成功し、BeZnSeTeが緑色レーザの活性層材料として高い性能を有していることを示した。 |
| （英） | MgZnCdSe, BeZnTe, and BeZnSeTe II-VI compound semiconductors grown on InP substrates are very attractive for middle visible range, especially green light emitting devices. We have developed these materials and emitting devices composed of BeZnSeTe active, MgSe/ZnCdSe superlattice (SL) n-cladding, and MgSe/BeZnTe SL p-cladding layers. Long lifetime operations beyond 5000h were achieved for the devices, which shows a remarkable improvement of the aging characteristic of II-VI devices. We succeeded in photopumped green lasing at room temperature for the double heterostructures having a BeZnSeTe active layer to indicate a high potentiality of BeZnSeTe as an active layer of green laser diodes. | |
| キーワード | （和） | InP基板 / ?-?族半導体 / 緑色発光 / 発光素子 / 長寿命 / レーザ / 光励起発振 / |
| （英） | InP substrate / II-VI compound semiconductor / green emission / light emitting device / long lifetime / laser / photopumped lasing / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 351, LQE2008-138, pp. 53-58, 2008年12月. | |
| 資料番号 | LQE2008-138 | |
| 発行日 | 2008-12-05 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2008-138 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2008-12-12 - 2008-12-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 地下3階2号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of II-VI materials on InP substrates for green semiconductor laser diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP基板 / InP substrate |
| キーワード(2)（和/英） | ?-?族半導体 / II-VI compound semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 緑色発光 / green emission |
| キーワード(4)（和/英） | 発光素子 / light emitting device |
| キーワード(5)（和/英） | 長寿命 / long lifetime |
| キーワード(6)（和/英） | レーザ / laser |
| キーワード(7)（和/英） | 光励起発振 / photopumped lasing |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野村 一郎 / Ichirou Nomura / ノムラ イチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸野 克巳 / Katsumi Kishino / キシノ カツミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蛯沢 智也 / Tomoya Ebisawa / エビサワ トモヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 櫛田 俊 / Shun Kushida / クシダ シュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田才 邦彦 / Kunihiko Tasai / タサイ クニヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 均 / Hitoshi Nakamura / ナカムラ ヒトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朝妻 庸紀 / Tsunenori Asatsuma / アサツマ ツネノリ |
| 第7著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 博 / Hiroshi Nakajima / ナカジマ ヒロシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-12 15:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2008-138 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-12-05 (LQE) |
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