| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2008-12-12 10:00
50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ 矢野哲夫・齋藤裕己・蒲原敦彦・野田隆一郎・手塚信一郎・藤村直之・大山将也・渡辺哲也・○平田隆昭(横河電機)・西山伸彦(東工大) LQE2008-129 |
| 抄録 |
(和) |
光通信や光応用計測のキーデバイスである、波長掃引幅が広くかつ高速掃引可能な波長可変レーザの実現を目的に、Si-MEMS技術を用いた可動凹面ミラー素子と半VCSEL素子を接合したInP系長波長帯波長可変VCSELを開発した。作製した素子において、55nmの位相連続波長掃引幅、500kHz以上の波長掃引特性、3.5mWの最大光出力、60dBのサイドモード抑圧比を実現した。 |
| (英) |
With aiming at realization of tunable lasers with wide tuning range and fast wavelength modulation required for optical network systems and optical measurement applications, we have developed InP-based long-wavelength tunable VCSELs that consist of half VCSEL chips and micromachined SOI chips with concave movable mirrors. A tuning range of 55 nm, a wavelength modulation over 500 kHz, a peak power of 3.5 mW and a side mode suppression ratio of about 60 dB have been demonstrated. |
| キーワード |
(和) |
MEMS / VCSEL / 波長可変レーザ / InP / 長波長 / / / |
| (英) |
MEMS / VCSEL / Tunable laser / InP / Long-wavelength / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 351, LQE2008-129, pp. 5-9, 2008年12月. |
| 資料番号 |
LQE2008-129 |
| 発行日 |
2008-12-05 (LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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