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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-12 09:35 高出力1.3μm帯25Gbps EA変調器集積半導体レーザ ○高橋博之（OKI）・島村知周・杉山 直・久保田宗親（OKIセミコンダクタ）・中村幸治（OKI）  LQE2008-128 エレソ技報アーカイブへのリンク：LQE2008-128 |
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| 抄録 | （和） | 100Gイーサネット向け高出力1.3μm帯25G-EMLを開発し、伝送特性の評価を行った。25.8Gbps変調時の平均光出力は6.5dBm、消光比7.6dBのクリアなアイ開口が観測され、30km伝送後も波形劣化は観測されず良好な特性が得られた。 |
| （英） | A 1.3 μm-EA Modulator integrated LD (EML) at 25Gbit/s over 30 km transmission without SOA was demonstrated for 100Gbps Ethernet applications. The EML with average output power 6.5 dBm, good eye opening and dynamic extinction ratio of over 7.6 dB at 35°C was realized. | |
| キーワード | （和） | EML / リッジ構造 / 100Gイーサネット / 高出力 / / / / |
| （英） | Electro-absorption Modulator integrated LD / ridge type LD / 100G Ethernet / high power / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 351, LQE2008-128, pp. 1-4, 2008年12月. | |
| 資料番号 | LQE2008-128 | |
| 発行日 | 2008-12-05 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2008-128 エレソ技報アーカイブへのリンク：LQE2008-128 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2008-12-12 - 2008-12-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 地下3階2号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高出力1.3μm帯25Gbps EA変調器集積半導体レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High power 1.3μm 25Gbps Electro-absorption Modulator integrated LD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | EML / Electro-absorption Modulator integrated LD |
| キーワード(2)（和/英） | リッジ構造 / ridge type LD |
| キーワード(3)（和/英） | 100Gイーサネット / 100G Ethernet |
| キーワード(4)（和/英） | 高出力 / high power |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 博之 / Hiroyuki Takahashi / タカハシ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co.,Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co.,Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島村 知周 / Tomonori Shimamura / シマムラ トモノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | OKIセミコンダクタ株式会社 (略称： OKIセミコンダクタ) Oki Semiconductor Co.,Ltd. (略称： Oki Semiconductor Co.,Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 直 / Takashi Sugiyama / スギヤマ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | OKIセミコンダクタ株式会社 (略称： OKIセミコンダクタ) Oki Semiconductor Co.,Ltd. (略称： Oki Semiconductor Co.,Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保田 宗親 / Munechika Kubota / クボタ ムネチカ |
| 第4著者 所属（和/英） | OKIセミコンダクタ株式会社 (略称： OKIセミコンダクタ) Oki Semiconductor Co.,Ltd. (略称： Oki Semiconductor Co.,Ltd.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 幸治 / Koji Nakamura / ナカムラ コウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co.,Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co.,Ltd.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-12 09:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2008-128 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-12-05 (LQE) |
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