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講演抄録/キーワード
講演名 2008-12-19 10:25
フェライト薄膜によるQFPの電磁ノイズ抑制
増田則夫NEC)・小野裕司近藤幸一NECトーキンEMCJ2008-89
抄録 (和) LSIチップおよびパッケージから放射される電磁ノイズを抑制するために,QFPのリードフレームに3µm厚のフェライトめっきを行い,近傍で電磁ノイズの抑制量を評価した。また,チップ表面にフェライト薄膜を設置し,ノイズの低減効果をオンチップループ素子を使用して測定した。フェライト薄膜の磁性による損失が大きい1GHz以下の周波数でノイズの低減が得られ,90nmプロセスにより作製した回路への電磁干渉が減ることを示した。 
(英) We developed a QFP which lead frames are plated by 3µm-thick ferrite in order to reduce electromagnetic noise from LSI chips and packages. Electromagnetic noise near the QFP is evaluated. A 3 μm-thick ferrite thin-film was placed on the chip, and then the noise suppression was measured by on-chip loop device. High-frequency noise was reduced below 1GHz, which indicates that the reduction occur by ferromagnetism. Electromagnetic interference to the circuit which was made using 90 nm process technology was reduced.
キーワード (和) システム内干渉 / システム間干渉 / 磁界 / ループアンテナ / 大規模集積回路 / 薄膜 / QFP / スプレーフェライトめっき  
(英) intra-system interference / inter-system interference / magnetic field / loop antenna / large scale integration / thin-film / quad flat pack / spray ferrite plating  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 367, EMCJ2008-89, pp. 19-24, 2008年12月.
資料番号 EMCJ2008-89 
発行日 2008-12-12 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2008-89

研究会情報
研究会 EMCJ  
開催期間 2008-12-19 - 2008-12-19 
開催地(和) 岐阜大学 
開催地(英) Gifu Univ. 
テーマ(和) 放電/電力/一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2008-12-EMCJ 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) フェライト薄膜によるQFPの電磁ノイズ抑制 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Noise Suppression by ferrite thin-film integrated onto QFP 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) システム内干渉 / intra-system interference  
キーワード(2)(和/英) システム間干渉 / inter-system interference  
キーワード(3)(和/英) 磁界 / magnetic field  
キーワード(4)(和/英) ループアンテナ / loop antenna  
キーワード(5)(和/英) 大規模集積回路 / large scale integration  
キーワード(6)(和/英) 薄膜 / thin-film  
キーワード(7)(和/英) QFP / quad flat pack  
キーワード(8)(和/英) スプレーフェライトめっき / spray ferrite plating  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 則夫 / Norio Masuda / マスダ ノリオ
第1著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野 裕司 / Hiroshi Ono / オノ ヒロシ
第2著者 所属(和/英) NECトーキン株式会社 (略称: NECトーキン)
NEC TOKIN Corporation (略称: NEC TOKIN)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 近藤 幸一 / Koichi Kondo / コンドウ コウイチ
第3著者 所属(和/英) NECトーキン株式会社 (略称: NECトーキン)
NEC TOKIN Corporation (略称: NEC TOKIN)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-12-19 10:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 EMCJ2008-89 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.367 
ページ範囲 pp.19-24 
ページ数
発行日 2008-12-12 (EMCJ) 


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