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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-19 15:30 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ ○塚原良洋・天清宗山・後藤清毅・奥 友希・石川高英（三菱電機）  ED2008-188 |
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| 抄録 | （和） | 60GHｚ帯高アイソレーションSPDT（Single Pole Double Throw）MMICについて報告する。アイソレーションを向上するために、スイッチング素子として用いたｐHEMTの構造を最適化してオン抵抗の低減を図り、かつ通貨損失に影響を与えず、アイソレーションを向上する整合回路を適用した．試作したスイッチは60GHzにて、アイソレーション 45dB、通過損失 1.4dB、入出力反射損失18dB以上の良好なスイッチの特性を得た．このスイッチは外部にバイアス回路を回路を必要とせず、消費電流も微小なため送受信モジュールの高効率化が期待できる． |
| （英） | This paper describes the successful development of a 60GHz high isolation SPDT MMIC switch for wireless applications. In order to improve the isolation, the shunt pHEMT resonator, which is reduced on-state resistance of FET, is proposed. The developed V-band SPDT switch shows an isolation of over 45 dB and an insertion loss of 1.4 dB at 60 GHz. Input and output return losses are better than 18 dB in ON-state. Moreover, the switch requires no complex off-chip bias circuitry and consumes no DC power. These performances of high isolation and low insertion loss presented here are the best among the V-band pHEMT MMIC switches. | |
| キーワード | （和） | 60GHz / SPDT / スイッチ / アイソレーション / 整合回路 / / / |
| （英） | 60GHz / SPDT / switch / Isolation / resonator / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 369, ED2008-188, pp. 21-25, 2008年12月. | |
| 資料番号 | ED2008-188 | |
| 発行日 | 2008-12-12 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-188 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-12-19 - 2008-12-20 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, THz-wave Devices and Systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 60GHz High Isolation SPDT MMIC Switches. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 60GHz / 60GHz |
| キーワード(2)（和/英） | SPDT / SPDT |
| キーワード(3)（和/英） | スイッチ / switch |
| キーワード(4)（和/英） | アイソレーション / Isolation |
| キーワード(5)（和/英） | 整合回路 / resonator |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚原 良洋 / Yoshihiro Tsukahara / ツカハラ ヨシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天清 宗山 / Hirotaka Amasuga / アマスガ ヒロタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 清毅 / Seiki Goto / ゴトウ セイキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥 友希 / Tomoki Oku / オク トモキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 高英 / Takahide Ishikawa / イシカワ タカヒデ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-19 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-188 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.369 |
| ページ範囲 | pp.21-25 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-12-12 (ED) |
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