講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-12-19 13:50
熱酸化を用いたSi量子井戸とエルビウム添加 ○大崎龍介・石川靖彦(東大)・山下善文・上浦洋一(岡山大)・和田一実(東大) OPE2008-138 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2008-138 |
抄録 |
(和) |
希土類元素であるErをドープしたSiは、光通信波長の1.5μm帯で発光するため、シリコンフォトニクスにおける発光材料として有望である。ErドープSiは低温で強い発光を示すものの、室温での発光が1/1000程度に低下してしまう温度消光が問題である。本講演では、温度消光抑制法として、Si量子井戸を用いる方法を紹介する。Si-on-insulator(SOI)構造を熱酸化することによるSi量子井戸の作製およびErドープした構造の作製について述べる。 |
(英) |
Er-doped Si has attracted much attention as a possible candidate for 1.5 μm light-emitting material in Silicon photonics. However, there has been a problem of the strong luminescence quenching toward higher temperatures. In this work, we propose a method for effective light emition from Er-doped Si using quantum well structures. The fabrication process using thermal oxidation of silicon-on-insulator (SOI) later is also described. |
キーワード |
(和) |
シリコン / エルビウム / 発光 / 温度消光 / 量子井戸 / / / |
(英) |
Silicon / Erbium / Light emission / Thermal quenching / Quantum wells / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 370, OPE2008-138, pp. 11-16, 2008年12月. |
資料番号 |
OPE2008-138 |
発行日 |
2008-12-12 (OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
OPE2008-138 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2008-138 |