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講演抄録/キーワード
講演名 2008-12-20 11:50
[招待講演]UTC-PDと集積化可能なTHz帯動作InP系ショットキーバリアダイオード
伊藤 弘北里大)・古田知史NTTED2008-196
抄録 (和) ショットキーバリアダイオード(SBD)は、室温で動作する高周波検波素子として広く用いられている。本報告では、SBDと「単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)」とを集積化した機能素子の実現を目指した試みとして、UTC-PDのエピ層を用いたInP系SBDを試作・評価した結果について紹介する。試作したSBDは広帯域平面アンテナをモノリシック集積しており、準光学型のモジュールに実装して検波特性を評価した。その結果、無バイアス状態での検出感度として300GHzで1000V/W、1.2THzで125V/Wと良好な値が得られた。また、試作したモジュールを用いた無線伝送実験を行い、周波数240GHzのキャリアを用いて5Gbit/s信号の伝送を実証した。 
(英) An InP-based Schottky-barrier diode (SBD) is monolithically integrated with a wideband log-periodic toothed antenna for detecting millimeter- and sub-millimeter-waves at frequencies of up to the terahertz (THz) range. A module with a quasi-optical collimation lens fabricated for practical use exhibits sensitivities of 1000 V/W at 300 GHz and 125 V/W at 1.2 THz with good linearity. Near-distance wireless transmission of 5 Gbit/s data with a 240 GHz carrier is also examined using the fabricated SBD module.
キーワード (和) ショットキーバリアダイオード / InP/InGaAsP / ミリ波 / サブミリ波 / / / /  
(英) Schottky barrier diode / InP/InGaAsP / millimeter-wave / sub-millimeter-wave / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 369, ED2008-196, pp. 59-64, 2008年12月.
資料番号 ED2008-196 
発行日 2008-12-12 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2008-196

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2008-12-19 - 2008-12-20 
開催地(和) 東北大学電気通信研究所 
開催地(英) Tohoku Univ. 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter-wave, THz-wave Devices and Systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2008-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) UTC-PDと集積化可能なTHz帯動作InP系ショットキーバリアダイオード 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Terahertz-wave detection by InP-based Schottky barrier diode fabricated using UTC-PD epi-layers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ショットキーバリアダイオード / Schottky barrier diode  
キーワード(2)(和/英) InP/InGaAsP / InP/InGaAsP  
キーワード(3)(和/英) ミリ波 / millimeter-wave  
キーワード(4)(和/英) サブミリ波 / sub-millimeter-wave  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 弘 / Hiroshi Ito / イトウ ヒロシ
第1著者 所属(和/英) 北里大学 (略称: 北里大)
Kitasato University (略称: Kitasato Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 知史 / Tomofumi Furuta / フルタ トモフミ
第2著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-12-20 11:50:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-196 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.369 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数
発行日 2008-12-12 (ED) 


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