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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-01-15 14:50 ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）  ED2008-214 MW2008-179 |
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| 抄録 | （和） | InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 THz)で動作可能で，将来の超高速無線通信用デバイスとしてだけでなく，ミリ波・サブミリ波帯における未利用周波数開発のキーデバイスとして注目されている．今回，ゲート長35 nmのIn0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As系HEMTの周波数90 GHzにおける雑音特性を評価した結果，最小雑音指数NFmin = 0.8 dB，利得Ga = 5.7 dBをドレイン電圧Vds = 0.8 V，ゲート電圧Vgs = －0.1 Vにて達成した．更に，遮断周波数fT = 520 GHz及び最大発振周波数fmax = 425 GHzが得られるバイアス条件(Vds = 0.8 V，Vgs = 0.0 V)ではNFmin = 1.0 dBとなり，fTが500 GHzを超えるInP系HEMTにおいて高速・高周波特性と低雑音特性を同時に実現できることを初めて確認した． |
| （英） | InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) are the most promising devices not only for future high-speed and high-frequency wireless communications but also expansion of radio spectrum resources in millimeter- (30-300 GHz) and sub-millimeter-wave (300 GHz-3 THz) frequency bands. In this contribution, we measured noise characteristics of 35-nm-gate In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As HEMTs at a frequency of 90 GHz, and achieved a minimum noise figure (NFmin) of 0.8 dB and an associated gain (Ga) of 5.7 dB when biased at a drain-source voltage (Vds) of 0.8 V and a gate-source voltage (Vgs) of -0.1 V. Furthermore, we also obtained an NFmin of 1.0 dB, a cutoff frequency (fT) of 520 GHz and a maximum oscillation frequency (fmax) of 425 GHz when biased at Vds = 0.8 V and Vgs = 0.0 V. The simultaneous achievement of high fT, high fmax and low NFmin is the first demonstration for InP-based HEMTs with over 500-GHz-fT. | |
| キーワード | （和） | InP系HEMT / InGaAs / InAlAs / 最小雑音指数(NFmin) / 遮断周波数(fT) / 最大発振周波数(fmax) / / |
| （英） | InP-based HEMT / InGaAs / InAlAs / minimum noise figure (NFmin) / cutoff frequency (fT) / maximum oscillation frequency (fmax) / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 376, ED2008-214, pp. 95-99, 2009年1月. | |
| 資料番号 | ED2008-214 | |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-214 MW2008-179 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2009-01-14 - 2009-01-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor ICs, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-frequency and low-noise performances of InP-based HEMTs for millimeter-wave monolithic integrated circuits |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP系HEMT / InP-based HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | InAlAs / InAlAs |
| キーワード(4)（和/英） | 最小雑音指数(NFmin) / minimum noise figure (NFmin) |
| キーワード(5)（和/英） | 遮断周波数(fT) / cutoff frequency (fT) |
| キーワード(6)（和/英） | 最大発振周波数(fmax) / maximum oscillation frequency (fmax) |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. & Com. Tech. (略称： National Inst. of Info.&Com. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. & Com. Tech. (略称： National Inst. of Info.&Com. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： NICT/富士通研) Fujitsu Laboratores Limited (略称： National Inst. of Info.&Com. Tech/Fujitsu Lab. Limited,) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 敏明 / Toshiaki Matsui / マツイ トシアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. & Com. Tech. (略称： National Inst. of Info.&Com. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-01-15 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-214, MW2008-179 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.376(ED), no.377(MW) |
| ページ範囲 | pp.95-99 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) |
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