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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-01-16 11:20 ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償 ○安藤晃洋・高山洋一郎・吉田 剛・石川 亮・本城和彦（電通大）  ED2008-222 MW2008-187 |
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| 抄録 | （和） | ダイオードリニアライザを用いて高効率F級GaN HEMT 電力増幅器のひずみ補償を行い，良好な特性を得た．まず，F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ特性および，ダイオードリニアライザのひずみ補償のシミュレーションによる検討を行った．次に，その結果に基づいて実際に直列ダイオードリニアライザを設計・試作し，F級GaN HEMT電力増幅器の前段に挿入し，三次相互変調ひずみ（IMD3）でほぼ10 dB補償，ドレーン効率最大出力点からバックオフ12 dB以上で-35 dBc以下のIMD3を得ることができた．またダイオードリニアライザを挿入したときの最大ドレーン効率は68.1 %であり高効率低ひずみを得ることができた． |
| （英） | This paper describes a high-efficiency Class-F GaN HEMT power amplifier linearized by a diode predistorter. The series diode linearizer is designed and fabricated for the class-F power amplifier with specific higher-order nonlinearity. The diode predistorter improves the third-order intermodulation ratio (IMD3) by over 10 dB at output powers for 0 to 20 dBm for the 1.9-GHz GaN HEMT amplifier. The IMD3 is under –35 dBc at output powers 12-dB over back-off from maximum drain-efficiency. The linearized amplifier has 68.1 % maximum drain-efficiency. | |
| キーワード | （和） | F級電力増幅器 / GaN HEMT / ダイオードリニアライザ / 相互変調ひずみ / / / / |
| （英） | Class-F power amplifier / GaN HEMT / Diode linearizer / Intermodulation distortion / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 377, MW2008-187, pp. 135-139, 2009年1月. | |
| 資料番号 | MW2008-187 | |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-222 MW2008-187 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2009-01-14 - 2009-01-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor ICs, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2009-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A High Efficiency Class-F GaN HEMT Power Amplifier with a Diode Predistortion Linearizer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | F級電力増幅器 / Class-F power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | ダイオードリニアライザ / Diode linearizer |
| キーワード(4)（和/英） | 相互変調ひずみ / Intermodulation distortion |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 晃洋 / Akihiro Ando / アンドウ アキヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： The Univ of Electro-Communications) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama / タカヤマ ヨウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： The Univ of Electro-Communications) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 剛 / Tsuyoshi Yoshida / ヨシダ ツヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： The Univ of Electro-Communications) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： The Univ of Electro-Communications) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： The Univ of Electro-Communications) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-01-16 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2008-222, MW2008-187 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.376(ED), no.377(MW) |
| ページ範囲 | pp.135-139 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) |
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