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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-01-29 13:00 MOD法により作製したBi-2212/MgO薄膜のface-to-faceアニールによる均一性の向上 ○濱中公志・立木 隆・内田貴司（防衛大）  SCE2008-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2008-32 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、テラヘルツ帯で動作する発振器・検出器などへの応用を目指し、真空装置を必要とせず、低コストで大面積での成膜が可能な有機金属分解（MOD）法によるMgO基板上へのBi2Sr2CaCu2O8+x（Bi-2212）薄膜の作製を行っている。これまでのBi-2212/MgO薄膜の作製において良好な結晶性が得られているものの840℃の高温で焼成した場合、Bi-2212の熱分解による組成の均一性に問題があった。そこで、本研究では、従来の単一基板による焼成法とは異なるプリカーサ基板表面を互いに重ね合わせるface-to-faceアニールによる焼成方法を導入し、均一性の向上について検討を行った。その結果、単一基板に比べて大幅にBi-2212の熱分解は抑制され組成の均一性は向上した。また、a-b面内での配向においてMgO基板に対し45°の配向角が支配的な薄膜が得られた。これらの組成ならびに面内配向の均一性の向上により、4.2 Kにおいて単一基板の場合と比べて1桁以上の臨界電流密度の向上を得た。 |
| （英） | In order to apply the film to high frequency devices such as a terahertz oscillator and detector, we have been fabricating a Bi2Sr2CaCu2O8+x(Bi-2212) thin film on a MgO substrate by the metal-organic decomposition (MOD) method which has the advantages such as the absence of a vacuum system, low running cost and the ability to fabricate large-area films. However, we had a problem of non-uniformity of the film caused by a thermal decomposition of Bi-2212 when the film was annealed at 840℃. In this study, we introduced a face-to-face annealing of the precursor films, whose method was different from the conventional single substrate method, to improve the uniformity of a composition, and investigated the uniformity of the Bi-2212 thin film. The thermal decomposition of Bi-2212 was drastically suppressed by introducing the face-to-face annealing method. In a measurement of in-plane-orientation, a rotation angle of 45 deg against the MgO substrate was dominant. By improving the uniformity of the composition and in-plane-orientation, a critical current density at 4.2 K of the film with the face-to-face annealing became one-order higher than that with the conventional single substrate method. | |
| キーワード | （和） | 有機金属分解（MOD）法 / face-to-faceアニール / Bi-2212薄膜 / MgO基板 / / / / |
| （英） | Metal-organic decomposition（MOD）method / face-to-face annealing / Bi-2212 thin films / MgO substrate / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 420, SCE2008-32, pp. 1-6, 2009年1月. | |
| 資料番号 | SCE2008-32 | |
| 発行日 | 2009-01-22 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2008-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2008-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2009-01-29 - 2009-01-29 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | アナログ応用、一般 |
| テーマ（英） | Analog application, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2009-01-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOD法により作製したBi-2212/MgO薄膜のface-to-faceアニールによる均一性の向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of uniformity for Bi-2212/MgO thin films fabricated by the MOD method with face-to-face annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属分解（MOD）法 / Metal-organic decomposition（MOD）method |
| キーワード(2)（和/英） | face-to-faceアニール / face-to-face annealing |
| キーワード(3)（和/英） | Bi-2212薄膜 / Bi-2212 thin films |
| キーワード(4)（和/英） | MgO基板 / MgO substrate |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱中 公志 / Koji Hamanaka / ハマナカ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 防衛大学校 (略称： 防衛大) National Defense Academy (略称： National Defense Academy) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 立木 隆 / Takashi Tachiki / タチキ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 防衛大学校 (略称： 防衛大) National Defense Academy (略称： National Defense Academy) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 貴司 / Takashi Uchida / ウチダ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 防衛大学校 (略称： 防衛大) National Defense Academy (略称： National Defense Academy) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-01-29 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2008-32 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.420 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-01-22 (SCE) |
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