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講演抄録/キーワード
講演名 2009-02-26 16:05
入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性
滝口将志速水翔太大塚正喜河合章生守屋雅隆小林忠行島田 宏水柿義直電通大ED2008-229 SDM2008-221 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-229 SDM2008-221
抄録 (和) 本報告において,我々は単一電子デバイス用の「入力離散化器」を提案し,その応用例について述べる.入力離散化器は,1個の微小トンネル接合と2個のキャパシタから構成される.入力離散化器の2個のキャパシタの容量を等しくすることで,単一電子デバイスへのゲート電荷を,電気素量eの半分の周期に離散化することができ,これにより単一電子デバイスの機能向上を図れる.例えば,入力離散化器付き単一電子トランジスタでは,クーロン閉塞のゲート電荷に対する閾値特性に不連続性が現れ,これにより入力信号への急峻な応答を得ることができるようになる.また,入力離散化器付き単一電子ターンスタイル素子では,電流プラトー生成領域境界の交流信号強度に対する依存性を減らし,動作領域を広く確保することができる.本報告では,入力離散化器やその応用例について,解析的結果及び数値計算結果を示す. 
(英) In this report, we propose an input discretizer for single-electron devices. The input discretizer comprises one small tunnel junction and two capacitors. When the two capacitors have the identical capacitance, the input discretizer discretizes the gate charge with interval of a half of the elementary charge e, which enhances the performance of single-electron devices. A single-electron transistor with the input discretizer has abrupt switchings of the Coulomb blockade thresholds, resulting in steep responses to the input signal. A single-electron turnstile with the input discretizer enhances its operation margins for generating current plateaus. Both analytical and numerical results are demonstrated.
キーワード (和) クーロン閉塞 / 単一電子箱 / 単一電子トランジスタ / 単一電子ターンスタイル / / / /  
(英) coulomb blockade / single-electron box / single-electron transitor / single-electron turnstile / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 437, ED2008-229, pp. 29-34, 2009年2月.
資料番号 ED2008-229 
発行日 2009-02-19 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-229 SDM2008-221 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-229 SDM2008-221

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-02-26 - 2009-02-27 
開催地(和) 北海道大学 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-02-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characteristics of Single Electron Transistor and Turnstile with Input Discretizer 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) クーロン閉塞 / coulomb blockade  
キーワード(2)(和/英) 単一電子箱 / single-electron box  
キーワード(3)(和/英) 単一電子トランジスタ / single-electron transitor  
キーワード(4)(和/英) 単一電子ターンスタイル / single-electron turnstile  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 滝口 将志 / Masashi Takiguchi / タキグチ マサシ
第1著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communication (略称: The Univ of Electro-Communication)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 速水 翔太 / Shota Hayami / ハヤミ ショウタ
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communication (略称: The Univ of Electro-Communication)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大塚 正喜 / Masaki Otsuka / オオツカ マサキ
第3著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communication (略称: The Univ of Electro-Communication)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 河合 章生 / Akio Kawai / カワイ アキオ
第4著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communication (略称: The Univ of Electro-Communication)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 守屋 雅隆 / Masataka Moriya / モリヤ マサタカ
第5著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communication (略称: The Univ of Electro-Communication)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 忠行 / Tadayuki Kobayashi / コバヤシ タダユキ
第6著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communication (略称: The Univ of Electro-Communication)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 島田 宏 / Hiroshi Shimada / シマダ ヒロシ
第7著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communication (略称: The Univ of Electro-Communication)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 水柿 義直 / Yoshinao Mizugaki / ミズガキ ヨシナオ
第8著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communication (略称: The Univ of Electro-Communication)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-02-26 16:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-229, SDM2008-221 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.437(ED), no.438(SDM) 
ページ範囲 pp.29-34 
ページ数
発行日 2009-02-19 (ED, SDM) 


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