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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-02-27 09:25 Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性 ○曹 民圭・開澤拓弥・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大）  ED2008-233 SDM2008-225 |
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| 抄録 | （和） | SOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することによりパターン依存酸化現象が生じ、簡単に単電子トランジスタを作成できることが知られている．本研究では、このシリコン細線の取付け部のパターン形状を工夫して、酸化することにより、ダブルドットの単電子トランジスタができることを示した．更に、測定したデータとシミュレーション結果を比較することにより、これを確認した． |
| （英） | It is well known that a Si single-electron transistor (SET) is automatically fabricated by means of pattern-dependent oxidation when a one-dimensional Si wire formed on a silicon-on-insulator (SOI) substrate is oxidized. In this report, we demonstrate a simple fabrication method for the double-dot Si SETs when we use specially designed Si nanowires formed on SOI substrates. We confirmed the double-dot formation by comparing the measured electrical characteristics of the device with the results of simulation | |
| キーワード | （和） | 単電子 / クーロンブロッケード / ダブルドット / / / / / |
| （英） | single electron / Coulomb blockade / double dot / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 437, ED2008-233, pp. 53-58, 2009年2月. | |
| 資料番号 | ED2008-233 | |
| 発行日 | 2009-02-19 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-233 SDM2008-225 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-02-26 - 2009-02-27 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dual-dot single-electron transistor fabricated in silicon nanowire |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子 / single electron |
| キーワード(2)（和/英） | クーロンブロッケード / Coulomb blockade |
| キーワード(3)（和/英） | ダブルドット / double dot |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 曹 民圭 / Mingyu Jo / ジョ ミンギュ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 開澤 拓弥 / Takuya Kaizawa / カイザワ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-02-27 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-233, SDM2008-225 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.437(ED), no.438(SDM) |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-02-19 (ED, SDM) |
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