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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-02-27 11:45 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性 ○池田浩也・ファイズ サレ・浅井清涼・石田明広（静岡大）  ED2008-238 SDM2008-230 |
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| 抄録 | （和） | 実用化に対して十分な変換効率を持つ熱電変換デバイスのための材料として，シリコンナノ構造に注目し ている．我々は，電子の閉じ込め効果による変換効率の向上を実験的に明らかにするために，様々な膜厚とキャリア 密度を持つ極薄 SOI 基板についてゼーベック係数の測定を行った．本報告では，測定系の改良により測定精度の向上 を図るとともに，極薄シリコン膜のゼーベック係数を予測するために，ボルツマン輸送方程式に基づいた理論計算を 行った．また，ナノメートルサイズの試料の熱電特性を測定するための新手法として，表面電位顕微鏡（KFM）を用 いたゼーベック係数の測定にも着手した． |
| （英） | In order to develop a high-efficiency thermoelectric device, we have investigated the thermoelectric characteristics of Si nanostructures. We have measured the Seebeck coefficient for ultrathin SOI (silicon on insulator) layers with various thickness and carrier concentration to clarify the electron confinement effect in the thermoelectric characteristics. In the present paper, we show the theoretically-evaluated Seebeck coefficient for Si, based on the Boltzmann transport equation, and demonstrate a new method for the Seebeck-coefficient measurement using a KFM (Kelvin-probe force microscopy) technique. | |
| キーワード | （和） | 熱電変換材料 / ナノ構造 / SOI基板 / ゼーベック係数 / 表面電位顕微鏡（KFM） / / / |
| （英） | thermoelectricity / nanostructure / SOI wafer / Seebeck coefficient / Kelvin-probe force microscope / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 438, SDM2008-230, pp. 81-85, 2009年2月. | |
| 資料番号 | SDM2008-230 | |
| 発行日 | 2009-02-19 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-238 SDM2008-230 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-02-26 - 2009-02-27 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermoelectric characteristics of Si nanostructures for a high-efficiency thermoelectric device |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱電変換材料 / thermoelectricity |
| キーワード(2)（和/英） | ナノ構造 / nanostructure |
| キーワード(3)（和/英） | SOI基板 / SOI wafer |
| キーワード(4)（和/英） | ゼーベック係数 / Seebeck coefficient |
| キーワード(5)（和/英） | 表面電位顕微鏡（KFM） / Kelvin-probe force microscope |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 浩也 / Hiroya Ikeda / イケダ ヒロヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ファイズ サレ / Faiz Salleh / ファイズ サレ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 清涼 / Kiyosumi Asai / アサイ キヨスミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 明広 / Akihiro Ishida / イシダ アキヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-02-27 11:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-238, SDM2008-230 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.437(ED), no.438(SDM) |
| ページ範囲 | pp.81-85 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-02-19 (ED, SDM) |
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