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| 講演名 | 2009-03-06 14:20 InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定 ○石原 純（立命館大）・中田武志（NEC）・笠原健一（立命館大）・牧田紀久夫（NEC）  OFT2008-95 OPE2008-195 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2008-195 |
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| 抄録 | （和） | 数Gbps光通信用アバランシェフォトダイオードの過剰雑音とイオン化率比を測定した。これらの値を高い精度で測定するために差動増幅器を用い、さらに増倍率が1となる光電流を正確に求めた。これによって低い増倍領域も含めての過剰雑音の測定が可能となった。過剰雑音は光入射強度の影響を受け、高入力光時には減少する傾向が見られた。また増倍層厚が0.7 μmでイオン化率比k=0.17(M=10)、0.2 μmでイオン化率比k=0.18(M=10)が得られた。 |
| （英） | The excess noise and ionization coefficient ratio of InAlAs avalanche photodiodes (APDs) for Gbps optical fiber communication have been measured. To obtain these values accurately, we used a differential amplifier, and determined the optical current at which the avalanche multiplication = 1. These made possible the excess noise measurement including the low multiplication region. Excess noise was slightly dependent on the optical input intensity, decreasing at high incident optical intensities. Measured ionization coefficient ratio at M=10 was 0.18 and 0.17 with multiplication layer width 0.2 and 0.7 μm respectively. | |
| キーワード | （和） | バランシェフォトダイオード / 過剰雑音 / イオン化率比 / 入射光強度依存性 / 増倍層厚依存性 / / / |
| （英） | Avalanche Photodiode / Excess noise / Ionization coefficient ratio / Incident light power dependence / Multiplication layer width dependence / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 451, OPE2008-195, pp. 45-50, 2009年3月. | |
| 資料番号 | OPE2008-195 | |
| 発行日 | 2009-02-27 (OFT, OPE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OFT2008-95 OPE2008-195 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2008-195 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OFT OPE |
| 開催期間 | 2009-03-06 - 2009-03-06 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 光波センシング、光波制御・検出、光計測、ニューロ、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2009-03-OFT-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly accurate measurement of the InAlAs-APD excess noise. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | バランシェフォトダイオード / Avalanche Photodiode |
| キーワード(2)（和/英） | 過剰雑音 / Excess noise |
| キーワード(3)（和/英） | イオン化率比 / Ionization coefficient ratio |
| キーワード(4)（和/英） | 入射光強度依存性 / Incident light power dependence |
| キーワード(5)（和/英） | 増倍層厚依存性 / Multiplication layer width dependence |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石原 純 / Jun Ishihara / イシハラ ジュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Rits Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 武志 / Takeshi Nakata / ナカタ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所 (略称： NEC) NEC Corporation Nano Electronics Reseach Laboratories. (略称： NEC Corp. Nano Electronics Labs) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笠原 健一 / Kenichi Kasahara / カサハラ ケンイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Rits Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧田 紀久夫 / Kikuo Makita / マキタ キクオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所 (略称： NEC) NEC Corporation Nano Electronics Reseach Laboratories. (略称： NEC Corp. Nano Electronics Labs) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-03-06 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OFT2008-95, OPE2008-195 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.450(OFT), no.451(OPE) |
| ページ範囲 | pp.45-50 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-02-27 (OFT, OPE) |
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