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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-03-09 14:20 Millimeter-Wave Dipole Antenna on a Thick Resin Layer on the Back Side of a Silicon CMOS Chip ○Jiro Hirokawa・Kenta Kimishima・Makoto Ando（Tokyo Inst. of Tech.）・Yasutake Hirachi（Ammsys Inc.）  AP2008-217 |
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| 抄録 | （和） | 60GHzシリコンCMOSチップのRF回路層の反対面上に厚い絶縁体層を設けダイポールアンテナを穴を介して集積化する構造を提案する。厚い絶縁体層は放射効率を向上させる。アンテナとRF回路の接続損の低減が期待できる。5mm四方のシリコンチップ上に厚さ200mの絶縁体層に設けたダイポールアンテナの利得の計算値は5.4dBiである。実験において反射が-6dBあるにもかかわらず利得3.1dBiが得られた。レーザの穴あけによる穴やポストの側面の粗さ，厚さ2mの薄い銅の形成，測定における接続損が利得低下をもたらしていると思われる。 |
| （英） | This paper proposes a dipole antenna integrated on a thick resin layer on the opposite side of a RF circuit layer though a hole in a silicon CMOS chip at 60GHz. The thick resin layer can enhance the radiation efficiency. The connection loss between the antenna and the RF circuit is expected to be small. The simulated gain of a dipole on a resin layer of 200m thickness over a 5mm square silicon chip is 5.4dBi. The measured gain of 3.1dBi is achieved even though the reflection is 6dB. The roughness of the sidewalls of the hole and posts by laser opening, the spread of thin copper with 2mm thickness and the connection loss in the measurement could degrade the gain. | |
| キーワード | （和） | ミリ波 / シリコンチップ / ダイポール / 厚絶縁体層 / 放射効率 / / / |
| （英） | Millimeter wave / Silicon chip / Dipole / Thick resin layer / Radiation efficiency / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 475, AP2008-217, pp. 33-36, 2009年3月. | |
| 資料番号 | AP2008-217 | |
| 発行日 | 2009-03-02 (AP) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | AP2008-217 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | AP |
| 開催期間 | 2009-03-09 - 2009-03-10 |
| 開催地（和） | マカオ大学 |
| 開催地（英） | University of Macau |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | Antennas and Propagation |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | AP |
| 会議コード | 2009-03-AP |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Millimeter-Wave Dipole Antenna on a Thick Resin Layer on the Back Side of a Silicon CMOS Chip |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミリ波 / Millimeter wave |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンチップ / Silicon chip |
| キーワード(3)（和/英） | ダイポール / Dipole |
| キーワード(4)（和/英） | 厚絶縁体層 / Thick resin layer |
| キーワード(5)（和/英） | 放射効率 / Radiation efficiency |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 広川 二郎 / Jiro Hirokawa / ヒロカワ ジロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 君島 健太 / Kenta Kimishima / キミシマ ケンタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 真 / Makoto Ando / アンドウ マコト |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平地 康剛 / Yasutake Hirachi / ヒラチ ヤスタケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社アムシス (略称： アムシス) Ammsys Inc. (略称： Ammsys Inc.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-03-09 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | AP |
| 資料番号 | AP2008-217 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.475 |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-03-02 (AP) |
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