| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2009-03-13 14:50
サブスレッショルド領域で動作するDTMOS動作方式を用いた低電力システムLSIの検討 ○鶴窪 淳・渡辺重佳(湘南工科大) VLD2008-166 |
| 抄録 |
(和) |
本論文では、サブスレッショルド領域で動作するDTMOS型のインバータの動作速度と消費電力をしきい値電圧が一定の通常動作と比較した。その結果、通常動作時のしきい値電圧が高いほど高速化、低消費電力化される結果が得られた。 |
| (英) |
The effect of a basic inverter circuit that applied the DTMOS operation method to the Sub-threshold operation area by using the value of a different threshold voltage was estimated. The effect of speed-up and low-power consumption were able to be enlarged by introducing the DTMOS operation, and the tendency was strong for the value of the threshold to rise. |
| キーワード |
(和) |
サブスレッショルド動作領域 / DTMOS動作方式 / しきい値電圧 / 遅延時間 / 消費電力 / / / |
| (英) |
sub-threshold operation / DTMOS / threshold voltage / Delay time / power consumption / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 478, VLD2008-166, pp. 237-241, 2009年3月. |
| 資料番号 |
VLD2008-166 |
| 発行日 |
2009-03-04 (VLD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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