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講演抄録/キーワード
講演名 2009-03-13 13:00
ランタイムパワーゲーティングを適用した低電力乗算器の設計試作及び実測による性能評価
中田光貴白井利明芝浦工大)・武田清大東大)・宇佐美公良芝浦工大VLD2008-162
抄録 (和) ランタイムパワーゲーティング(RTPG)を適用した低電力乗算器を,90nmプロセスを用いて設計試作した.シミュレーション評価ではリーク電力とグラウンド・バウンスの低減効果を検証し,実測評価ではリーク電力と動作速度について解析した.実測において,RTPG適用によるリーク電力低減効果は,高温時で22%であった. 
(英) This paper describes an implementation of low power multiplier applying Run Time Power Gating using 90nm process. Leakage power and ground bounce were verified in simulation, and leakage power and operation speed were analyzed by measurement. Measurement results show that a gain in leakage power savings is 22% at high temperature.
キーワード (和) 低消費電力 / パワーゲーティング / 実装 / 実測 / / / /  
(英) Low-Power / Power Gating / Imprementation / Measurement / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 478, VLD2008-162, pp. 213-218, 2009年3月.
資料番号 VLD2008-162 
発行日 2009-03-04 (VLD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2008-162

研究会情報
研究会 VLD  
開催期間 2009-03-11 - 2009-03-13 
開催地(和) 沖縄県男女共同参画センター 
開催地(英)  
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術 
テーマ(英) Design Technology for a System-on-Silicon 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2009-03-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ランタイムパワーゲーティングを適用した低電力乗算器の設計試作及び実測による性能評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Implementation and performance measurement of low-power multiplier applying Run Time Power Gating 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 低消費電力 / Low-Power  
キーワード(2)(和/英) パワーゲーティング / Power Gating  
キーワード(3)(和/英) 実装 / Imprementation  
キーワード(4)(和/英) 実測 / Measurement  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中田 光貴 / Mitsutaka Nakata / ナカタ ミツタカ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 白井 利明 / Toshiaki Shirai / シライ トシアキ
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 武田 清大 / Seidai Takeda / タケダ セイダイ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ
第4著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-03-13 13:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2008-162 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.478 
ページ範囲 pp.213-218 
ページ数
発行日 2009-03-04 (VLD) 


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