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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-03-13 14:40 Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発 ○望月 亮・福島竜也・岩渕浩昭・山田良男・加藤孝男（東芝）  EMCJ2008-121 |
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| 抄録 | （和） | Ku帯電力増幅FETとして世界最高出力となる50W級窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)を電力増幅部に用いた、固体化電力増幅器(SSPA)を開発したので報告する。GaN FETは、増幅特性が非線形領域となる範囲が広く、3次相互変調積(IM3)の改善が欠かせないが、本装置では、バイアス条件の最適化によって、14.0～14.5GHzの広帯域における送信出力50dBm(100W)のIM3が-25dBc以下となる性能を、-10～45℃の周囲温度環境で達成している。また、12段のFETをカスケード接続したことによって生ずる温度利得変動を、補償する機能を具備している。 |
| （英） | In this paper, we present a solid state power amplifier (SSPA) for Ku-band applications. This is the first report of SSPA using with gallium nitride (GaN) field effect transistors (FETs), which output power exceeds 50W as world commercial record for Ku-band. We apply a linearization technique to GaN FETs' power amplifiers for the purpose of improving a linearity of RF module. The intermodulation distortion is under -25dBc with 50dBm output power at -10C to +45C. The SSPA controls RF gain stability with a temperature compensator for FETs which connected with 12 steps straightly. | |
| キーワード | （和） | SNG / 固体化電力増幅器 / 窒化ガリウム / 高電子移動度トランジスタ / Ku帯 / 相互変調積 / 温度補償 / |
| （英） | SNG / SSPA / Gallium Nitride / GaN HEMT / Ku-band / Intermodulation Distortion / Temperature compensator / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, pp. 43-48, 2009年3月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2009-03-06 (EMCJ) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMCJ2008-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ ITE-BCT |
| 開催期間 | 2009-03-13 - 2009-03-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 放送／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ITE-BCT |
| 会議コード | 2009-03-EMCJ-BCT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Solid State Power Amplifier with GaN FET for Ku-band |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SNG / SNG |
| キーワード(2)（和/英） | 固体化電力増幅器 / SSPA |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
| キーワード(4)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / GaN HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | Ku帯 / Ku-band |
| キーワード(6)（和/英） | 相互変調積 / Intermodulation Distortion |
| キーワード(7)（和/英） | 温度補償 / Temperature compensator |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 望月 亮 / Ryo Mochizuki / モチヅキ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福島 竜也 / Tatsuya Fukushima / フクシマ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩渕 浩昭 / Hiroaki Iwabuchi / イワブチ ヒロアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 良男 / Yoshio Yamada / ヤマダ ヨシオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 孝男 / Takao Kato / カトウ タカオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-03-13 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ITE-BCT |
| 資料番号 | EMCJ2008-121 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.482 |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-03-06 (EMCJ) |
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