講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-03-13 14:40
Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発 ○望月 亮・福島竜也・岩渕浩昭・山田良男・加藤孝男(東芝) EMCJ2008-121 |
抄録 |
(和) |
Ku帯電力増幅FETとして世界最高出力となる50W級窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)を電力増幅部に用いた、固体化電力増幅器(SSPA)を開発したので報告する。GaN FETは、増幅特性が非線形領域となる範囲が広く、3次相互変調積(IM3)の改善が欠かせないが、本装置では、バイアス条件の最適化によって、14.0~14.5GHzの広帯域における送信出力50dBm(100W)のIM3が-25dBc以下となる性能を、-10~45℃の周囲温度環境で達成している。また、12段のFETをカスケード接続したことによって生ずる温度利得変動を、補償する機能を具備している。 |
(英) |
In this paper, we present a solid state power amplifier (SSPA) for Ku-band applications. This is the first report of SSPA using with gallium nitride (GaN) field effect transistors (FETs), which output power exceeds 50W as world commercial record for Ku-band. We apply a linearization technique to GaN FETs' power amplifiers for the purpose of improving a linearity of RF module. The intermodulation distortion is under -25dBc with 50dBm output power at -10C to +45C. The SSPA controls RF gain stability with a temperature compensator for FETs which connected with 12 steps straightly. |
キーワード |
(和) |
SNG / 固体化電力増幅器 / 窒化ガリウム / 高電子移動度トランジスタ / Ku帯 / 相互変調積 / 温度補償 / |
(英) |
SNG / SSPA / Gallium Nitride / GaN HEMT / Ku-band / Intermodulation Distortion / Temperature compensator / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, pp. 43-48, 2009年3月. |
資料番号 |
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発行日 |
2009-03-06 (EMCJ) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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EMCJ2008-121 |